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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 24A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），162A（Tc） 3.2W（Ta），156W（Tc） 8-Dual Cool?88
  
  型号：FDMT800100DC
  仓库库存编号：FDMT800100DCCT-ND
  别名：FDMT800100DCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 110A 284W TO247
  详细描述：IGBT 600V 110A 284W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW50HF60SD
  仓库库存编号：497-11089-5-ND
  别名：497-11089-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 43.5A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 43.5A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA44N30
  仓库库存编号：FQA44N30-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 36A 80W TO3PF
  详细描述：IGBT 600V 36A 80W Through Hole TO-3PF
  
  型号：STGFW30NC60V
  仓库库存编号：497-13104-5-ND
  别名：497-13104-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0630N1507L
  仓库库存编号：FDB0630N1507LTR-ND
  别名：FDB0630N1507L-ND
  FDB0630N1507LTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0630N1507L
  仓库库存编号：FDB0630N1507LCT-ND
  别名：FDB0630N1507LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 130A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 130A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：FDB0630N1507L
  仓库库存编号：FDB0630N1507LDKR-ND
  别名：FDB0630N1507LDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 40A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 460W（Tc） TO-264
  
  型号：FQL40N50
  仓库库存编号：FQL40N50-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 312.5W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH35N60
  仓库库存编号：FCH35N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：STB20N90K5
  仓库库存编号：497-17086-1-ND
  别名：497-17086-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  IGBT 1200V 80A 480W TO264
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 480W Through Hole TO-264
  
  型号：GPA040A120L-FD
  仓库库存编号：1560-1222-5-ND
  别名：1560-1222-1
  1560-1222-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 52A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 52A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50KDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50KDPBF-ND
  别名：*IRG4PC50KDPBF
  SP001540572
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） TO-247 长引线
  
  型号：FCH110N65F_F155
  仓库库存编号：FCH110N65F_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 216W（Tc） I2PAK
  
  型号：FCI25N60N_F102
  仓库库存编号：FCI25N60N_F102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 25A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 216W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP25N60N_F102
  仓库库存编号：FCP25N60N_F102-ND
  别名：FCP25N60NF102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Cree/Wolfspeed
  MOSFET N-CH 900V 22A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 83W（Tc） D2PAK-7
  
  型号：C3M0120090J-TR
  仓库库存编号：C3M0120090J-TRCT-ND
  别名：C3M0120090J-TRCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 37A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH104N60
  仓库库存编号：FCH104N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 37A（Tc） 357W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP104N60F
  仓库库存编号：FCP104N60F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 100A 285W TO247
  详细描述：IGBT 600V 100A 285W Through Hole TO-247 Long Leads
  
  型号：STGW50NC60W
  仓库库存编号：497-7016-5-ND
  别名：497-7016-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 23A
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 278W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP220N80
  仓库库存编号：FCP220N80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 36A 88W TO3PF
  详细描述：IGBT 600V 36A 88W Through Hole TO-3PF
  
  型号：STGFW35HF60W
  仓库库存编号：497-13270-5-ND
  别名：497-13270-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 357W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB110N65F
  仓库库存编号：FCB110N65FCT-ND
  别名：FCB110N65FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP6N120P
  仓库库存编号：IXFP6N120P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA3N120TRL
  仓库库存编号：IXFA3N120TRLCT-ND
  别名：IXFA3N120TRLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 52A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 481W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH072N60F_F085
  仓库库存编号：FCH072N60F_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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