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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6576
  仓库库存编号：FDS6576CT-ND
  别名：FDS6576CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7465DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7465DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7465DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5902BDC-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5902BDC-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5902BDC-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.1W（Ta），31W（Tc） 8-PowerPak? ChipFet（3x1.9）
  
  型号：SI5476DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5476DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5476DU-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS89161LZ
  仓库库存编号：FDS89161LZCT-ND
  别名：FDS89161LZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.2A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7465DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7465DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7465DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 2.7A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 2.7A 1.6W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS89161
  仓库库存编号：FDS89161CT-ND
  别名：FDS89161CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 45A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 45A（Tc） 2.1W（Ta），41.7W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD45P03-09-GE3
  仓库库存编号：SUD45P03-09-GE3CT-ND
  别名：SUD45P03-09-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 121W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN1R3-30YL,115
  仓库库存编号：1727-4276-1-ND
  别名：1727-4276-1
  568-4908-1
  568-4908-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 18A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7322DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7322DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7322DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 29A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 29A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4459ADY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4459ADY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4459ADY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4922BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4922BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4922BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 5.7A POWER33
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta），13.5A（Tc） 2.1W（Ta），42W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
  
  型号：FDMC5614P
  仓库库存编号：FDMC5614PCT-ND
  别名：FDMC5614PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10.8A（Ta） 5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS4141
  仓库库存编号：FDS4141CT-ND
  别名：FDS4141CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 5.5A, 4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS8928A
  仓库库存编号：FDS8928ACT-ND
  别名：FDS8928ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 2.17W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMP10A18KTC
  仓库库存编号：ZXMP10A18KTCCT-ND
  别名：ZXMP10A18KTCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
  
  型号：SI5908DC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5908DC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5908DC-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4288DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4288DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4288DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 150V 43A LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 43A（Tc） 113W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
  
  型号：PSMN059-150Y,115
  仓库库存编号：1727-4171-1-ND
  别名：1727-4171-1
  568-4734-1
  568-4734-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6910
  仓库库存编号：FDS6910CT-ND
  别名：FDS6910CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 900mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：FDFS2P106A
  仓库库存编号：FDFS2P106ACT-ND
  别名：FDFS2P106A_NLCT
  FDFS2P106A_NLCT-ND
  FDFS2P106ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120mA（Ta） 500mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：BS107P
  仓库库存编号：BS107P-ND
  别名：BS107
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 4.6W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR802DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR802DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR802DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR464DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR464DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR464DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 400V 0.17A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 170mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：DN2540N8-G
  仓库库存编号：DN2540N8-GCT-ND
  别名：DN2540N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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