产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 11.3A, 18.1A 1.1W Surface Mount 8-DFN (5x6)
型号:
NTMFD4C86NT1G
仓库库存编号:
NTMFD4C86NT1GOSCT-ND
别名:NTMFD4C86NT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 134.4W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP16N60N
仓库库存编号:
FCP16N60N-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 14A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB15N80K5
仓库库存编号:
497-13423-1-ND
别名:497-13423-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 200W TO220
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW30NC60W
仓库库存编号:
497-5009-5-ND
别名:497-5009-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 22A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 227W(Tc) TO-247
型号:
FCH170N60
仓库库存编号:
FCH170N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
AUIRG4PH50S
仓库库存编号:
AUIRG4PH50S-ND
别名:SP001512028
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 70A 260W TO247
详细描述:IGBT 600V 70A 260W Through Hole TO-247-3
型号:
STGWA35HF60WDI
仓库库存编号:
497-10989-5-ND
别名:497-10989-5
STGWA35HF60WDI-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 85V 96A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 96A(Tc) 298W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA96P085TTRL
仓库库存编号:
IXTA96P085TTRLCT-ND
别名:IXTA96P085TTRLCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 298W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP150N65F
仓库库存编号:
FCP150N65F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V
详细描述:表面贴装 N 沟道 36A(Ta),254A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool?88
型号:
FDMT80080DC
仓库库存编号:
FDMT80080DCCT-ND
别名:FDMT80080DCCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 210A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 3.5W(Ta), 250W(Tc) 8-PSOF
型号:
FDBL0260N100
仓库库存编号:
FDBL0260N100CT-ND
别名:FDBL0260N100CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.195 OHM TYP.,
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Tc) 125W(Tc) PowerFlat?(8x8) HV
型号:
STL24N60DM2
仓库库存编号:
497-16940-1-ND
别名:497-16940-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO-220F-3
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 62.5W(Tc) TO-220F
型号:
FDPF17N60NT
仓库库存编号:
FDPF17N60NTFS-ND
别名:FDPF17N60NT-ND
FDPF17N60NTFS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 40A 130W TO220
详细描述:IGBT 600V 40A 130W Through Hole TO-220
型号:
STGP19NC60H
仓库库存编号:
497-8808-5-ND
别名:497-8808-5
STGP19NC60H-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述:表面贴装 N 沟道 34A(Tc) 250W(Tc) DPAK
型号:
STB45N60DM2AG
仓库库存编号:
497-16129-1-ND
别名:497-16129-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 65A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 65A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN
型号:
FQA65N20
仓库库存编号:
FQA65N20FS-ND
别名:FQA65N20-ND
FQA65N20FS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 600V 20A TO-263AB
详细描述:表面贴装 N 沟道 20A(Tc) 405W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FCB20N60F_F085
仓库库存编号:
FCB20N60F_F085CT-ND
别名:FCB20N60F_F085CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 900V 15A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 208W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP90R340C3XKSA1
仓库库存编号:
IPP90R340C3XKSA1-ND
别名:IPP90R340C3
IPP90R340C3-ND
SP000411304
SP000683098
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 35W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R125CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R125CPXKSA1-ND
别名:IPA60R125CP
IPA60R125CP-ND
SP000095275
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 25A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 25A(Tc) 208W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R125CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R125CPXKSA1-ND
别名:IPP60R125CP
IPP60R125CP-ND
IPP60R125CPX
IPP60R125CPXK
SP000088488
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 23A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 44W(Tc) TO-220F
型号:
FCPF220N80
仓库库存编号:
FCPF220N80-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 26A(Tc) 190W(Tc) D2PAK
型号:
STB33N60M2
仓库库存编号:
497-14973-1-ND
别名:497-14973-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 650V 24A
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 298W(Tc) TO-247 长引线
型号:
FCH150N65F_F155
仓库库存编号:
FCH150N65F_F155-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 25A POWERPAK8X8
详细描述:表面贴装 N 沟道 25A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH26N60E-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH26N60E-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH26N60E-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 37A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 357W(Tc) TO-220-3
型号:
FCP104N60
仓库库存编号:
FCP104N60-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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