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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4442DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4442DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4442DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 2.6A 1.4W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
  
  型号：SI7956DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7956DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7956DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE832DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE832DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE832DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），104W（Tc） 10-PolarPAK?（S）
  
  型号：SIE820DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE820DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE820DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24N60DM2
  仓库库存编号：497-15423-1-ND
  别名：497-15423-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25.5A 131M
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25.5A（Tc） 417W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB27N25TM_F085
  仓库库存编号：FQB27N25TM_F085CT-ND
  别名：FQB27N25TM_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP190N60_GF102
  仓库库存编号：FCP190N60_GF102-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 8MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 1W Surface Mount Powerclip-33
  
  型号：FDPC4044
  仓库库存编号：FDPC4044CT-ND
  别名：FDPC4044CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB24N65M2
  仓库库存编号：497-15304-1-ND
  别名：497-15304-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 80A 290W TO247
  详细描述：IGBT Field Stop 650V 80A 290W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40N65UFDTU
  仓库库存编号：FGH40N65UFDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 125W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FCB11N60TM
  仓库库存编号：FCB11N60TMCT-ND
  别名：FCB11N60TM_NLCT
  FCB11N60TM_NLCT-ND
  FCB11N60TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.3A（Ta），28A（Tc） 3.2W（Ta），125W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS86200DC
  仓库库存编号：FDMS86200DCCT-ND
  别名：FDMS86200DCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 85A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（6x5）
  
  型号：STL85N6F3
  仓库库存编号：497-10882-1-ND
  别名：497-10882-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 22A, 93A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
  
  型号：FDMD8560L
  仓库库存编号：FDMD8560LCT-ND
  别名：FDMD8560LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB20N50F
  仓库库存编号：FDB20N50FCT-ND
  别名：FDB20N50FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 25.5A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 25.5A（Tc） 3.13W（Ta），417W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI27N25TU_F085
  仓库库存编号：FQI27N25TU_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 12A POWER88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 125W（Tc） Power88
  
  型号：FCMT299N60
  仓库库存编号：FCMT299N60CT-ND
  别名：FCMT299N60CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 23A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 23A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC30UDPBF
  仓库库存编号：IRG4PC30UDPBF-ND
  别名：*IRG4PC30UDPBF
  SP001537204
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 20A 100W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH30KPBF
  仓库库存编号：IRG4PH30KPBF-ND
  别名：*IRG4PH30KPBF
  SP001540542
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 90W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL19N60DM2
  仓库库存编号：497-16361-1-ND
  别名：497-16361-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 35A 79W TO3P
  详细描述：IGBT 600V 35A 79W Through Hole TO-3P
  
  型号：STGWF30NC60S
  仓库库存编号：497-10709-5-ND
  别名：497-10709-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 38A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Tc） 5.2W（Tc） PolarPak?
  
  型号：STK38N3LLH5
  仓库库存编号：497-8784-1-ND
  别名：497-8784-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 15A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） TO-220
  
  型号：FCP260N60E
  仓库库存编号：FCP260N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
  详细描述：IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
  
  型号：HGT1S10N120BNST
  仓库库存编号：HGT1S10N120BNSTCT-ND
  别名：HGT1S10N120BNSTCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 208W D2PAK
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 40A 208W Surface Mount TO-263AB (D2PAK)
  
  型号：FGB20N60SFD
  仓库库存编号：FGB20N60SFDCT-ND
  别名：FGB20N60SFDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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