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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 5.4W（Ta），96W（Tc）
  
  型号：SI7148DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7148DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7148DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB11N52K3
  仓库库存编号：497-11839-1-ND
  别名：497-11839-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58A（Tc） 4.6W（Ta），46W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7884BDP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7884BDP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7884BDP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6
  
  型号：FDMD86100
  仓库库存编号：FDMD86100CT-ND
  别名：FDMD86100CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB8N90K5
  仓库库存编号：497-17082-1-ND
  别名：497-17082-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 80V 7.6A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7852DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7852DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7852DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 120V 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta） 2.7W（Ta），156W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS86202
  仓库库存编号：FDMS86202CT-ND
  别名：FDMS86202CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 7A 12POWER
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD82100
  仓库库存编号：FDMD82100CT-ND
  别名：FDMD82100CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 650V 15A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 36W（Tc） TO-220F
  
  型号：FCPF260N65FL1
  仓库库存编号：FCPF260N65FL1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2NPN/2PNP 70V 1A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 70V 1A 100MHz 1.25W Surface Mount SOT-223
  
  型号：ZHB6792TA
  仓库库存编号：ZHB6792CT-ND
  别名：ZHB6792CT
  ZHB6792TA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8.6A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 8.6A（Tc） 240W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA9N90_F109
  仓库库存编号：FQA9N90_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 11A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 35.7W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF400N80ZL1
  仓库库存编号：FCPF400N80ZL1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 36A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS8320L
  仓库库存编号：FDMS8320LCT-ND
  别名：FDMS8320LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 4.5A 8PWRFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL8N80K5
  仓库库存编号：497-13778-1-ND
  别名：497-13778-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.5A（Tc） 48W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL12N65M5
  仓库库存编号：497-13964-1-ND
  别名：497-13964-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 9A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 83.3W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP9N60N
  仓库库存编号：FCP9N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 6-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD8260L
  仓库库存编号：FDMD8260LCT-ND
  别名：FDMD8260LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-3
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 270W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FDA24N50F
  仓库库存编号：FDA24N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 40A TO247
  详细描述：IGBT 600V 80A 278W Through Hole TO-247
  
  型号：AOKS40B60D1
  仓库库存编号：785-1759-ND
  别名：785-1759
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 208W D2PAK
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 40A 208W Surface Mount D2PAK (TO-263)
  
  型号：FGB20N60SFD_F085
  仓库库存编号：FGB20N60SFD_F085CT-ND
  别名：FGB20N60SFD_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 125W（Tc）
  
  型号：IRF840ASTRRPBF
  仓库库存编号：IRF840ASTRRPBFCT-ND
  别名：IRF840ASTRRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  DIODE PIN 2.5W 100V POWERMITE1
  详细描述：RF Diode PIN - Single 100V 2.5W DO-216
  
  型号：UPP1001E3/TR7
  仓库库存编号：UPP1001E3/TR7CT-ND
  别名：UPP1001E3/TR7CT
  UPP1001E3CT
  UPP1001E3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 900V 8A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 205W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP9N90C
  仓库库存编号：FQP9N90CFS-ND
  别名：FQP9N90C-ND
  FQP9N90CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 11A POWERPAK8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Tc） 114W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH11N60E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH11N60E-T1-GE3CT-ND
  别名：SIHH11N60E-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 80V 16A POWER 5X6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 16A (Ta), 82A (Tc) 2.3W Surface Mount 8-Power 5x6
  
  型号：FDMD8580
  仓库库存编号：FDMD8580CT-ND
  别名：FDMD8580CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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