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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 600V 40A 208W D2PAK
  详细描述：IGBT Field Stop 600V 40A 208W Surface Mount D2PAK
  
  型号：FGB20N60SF
  仓库库存编号：FGB20N60SFCT-ND
  别名：FGB20N60SFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 28A（Tc） 5.2W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7489DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7489DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7489DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2NPN/2PNP 40V 2A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) 40V 2A 100MHz 1.25W Surface Mount SOT-223
  
  型号：ZHB6790TA
  仓库库存编号：ZHB6790CT-ND
  别名：ZHB6790
  ZHB6790CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 4N-CH 60V 8A MLP4.5X5
  详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 8A 1.9W Surface Mount 12-MLP (5x4.5)
  
  型号：FDMQ86530L
  仓库库存编号：FDMQ86530LCT-ND
  别名：FDMQ86530LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 900V 5.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 140W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB6NK90ZT4
  仓库库存编号：497-6555-1-ND
  别名：497-6555-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.4A（Tc） 3.13W（Ta），142W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：FQI7N60TU
  仓库库存编号：FQI7N60TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 80W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL120N2VH5
  仓库库存编号：497-12978-1-ND
  别名：497-12978-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3.3A（Tc） 51W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF6N80T
  仓库库存编号：FQPF6N80TFS-ND
  别名：FQPF6N80T-ND
  FQPF6N80TFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 40V 23A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 23A 2.1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD8240L
  仓库库存编号：FDMD8240LCT-ND
  别名：FDMD8240LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 20A/40A
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 20A, 40A 2.1W, 2.3W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC8014AS
  仓库库存编号：FDPC8014ASCT-ND
  别名：FDPC8014ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  RECT BRIDGE GPP 15A 1000V GBPC-W
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A Through Hole GBPC-W
  
  型号：GBPC1510W
  仓库库存编号：GBPC1510W-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 44A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 38W（Tc） TO-220F（LG 成形）
  
  型号：FDPF44N25TRDTU
  仓库库存编号：FDPF44N25TRDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W TO220
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-220
  
  型号：STGP35HF60W
  仓库库存编号：497-13584-5-ND
  别名：497-13584-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 185W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 60A 185W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB30NC60KT4
  仓库库存编号：497-7009-1-ND
  别名：497-7009-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 60A 200W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB30NC60WT4
  仓库库存编号：497-8779-1-ND
  别名：497-8779-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 70W（Tc） DPAK
  
  型号：STD10NM60ND
  仓库库存编号：497-12239-1-ND
  别名：497-12239-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 16A
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 200W（Tc） TO-3PN
  
  型号：FQA16N50_F109
  仓库库存编号：FQA16N50_F109-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20.6A（Tc） 39W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF190N60E
  仓库库存编号：FCPF190N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 3.3W（Ta），89W（Tc） Dual Cool?56
  
  型号：FDMS3006SDC
  仓库库存编号：FDMS3006SDCCT-ND
  别名：FDMS3006SDCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 156W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R500C3XKSA1
  仓库库存编号：IPP90R500C3XKSA1-ND
  别名：IPP90R500C3
  IPP90R500C3-ND
  SP000413746
  SP000683100
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 33W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA11N65C3XKSA1
  仓库库存编号：SPA11N65C3XKSA1-ND
  别名：SP000216318
  SPA11N65C3
  SPA11N65C3IN
  SPA11N65C3IN-ND
  SPA11N65C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Tc） 150W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB13NK60ZT4
  仓库库存编号：497-6546-1-ND
  别名：497-6546-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 100W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB8NM60T4
  仓库库存编号：497-5386-1-ND
  别名：497-5386-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS3662
  仓库库存编号：FDMS3662CT-ND
  别名：FDMS3662CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 150V 6.2A/1A PWR56
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 150V 6.2A, 1A 2.3W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS8095AC
  仓库库存编号：FDMS8095ACCT-ND
  别名：FDMS8095ACCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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