以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 17A 8DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），85A（Tc） 7.3W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6280
  仓库库存编号：785-1338-1-ND
  别名：785-1338-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 17A, 25A 1W, 1.1W Surface Mount Power Clip 56
  
  型号：FDPC5030SG
  仓库库存编号：FDPC5030SGCT-ND
  别名：FDPC5030SGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7866ADP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7866ADP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7866ADP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 83W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD7N60TM_WS
  仓库库存编号：FCD7N60TM_WSCT-ND
  别名：FCD7N60TM_WSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 60V 22A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD18532NQ5B
  仓库库存编号：296-36445-1-ND
  别名：296-36445-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 2.5A 1.04W Surface Mount 8-MSOP
  
  型号：ZXMD63N02XTA
  仓库库存编号：ZXMD63N02XCT-ND
  别名：ZXMD63N02X
  ZXMD63N02XCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.3A 1.04W Surface Mount 8-MSOP
  
  型号：ZXMD63N03XTA
  仓库库存编号：ZXMD63N03XCT-ND
  别名：ZXMD63N03X
  ZXMD63N03XCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB7NK80ZT4
  仓库库存编号：497-6557-1-ND
  别名：497-6557-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 40A 130W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 40A 130W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB19NC60HDT4
  仓库库存编号：497-6026-1-ND
  别名：497-6026-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.6A（Tc） 42W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL7N80K5
  仓库库存编号：497-14059-1-ND
  别名：497-14059-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.4W（Ta），83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR846ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR846ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR846ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 3.2W（Ta），191W（Tc） 8-VSON（5x6）
  
  型号：CSD16556Q5B
  仓库库存编号：296-35627-1-ND
  别名：296-35627-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），78W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS5672
  仓库库存编号：FDMS5672CT-ND
  别名：FDMS5672CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 38A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
  
  型号：CSD16401Q5
  仓库库存编号：296-24525-1-ND
  别名：296-24525-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  含铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.8A（Tc） 3.13W（Ta），158W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB6N80TM
  仓库库存编号：FQB6N80TMCT-ND
  别名：FQB6N80TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19.4A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS039N08B
  仓库库存编号：FDMS039N08BCT-ND
  别名：FDMS039N08BCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12.5A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12.5A（Ta），50A（Tc） 3.1W（Ta），127W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86110
  仓库库存编号：FDD86110CT-ND
  别名：FDD86110CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  IGBT 600V 18A 60W DPAK
  详细描述：IGBT 600V 18A 60W Surface Mount DPAK
  
  型号：STGD10NC60ST4
  仓库库存编号：497-10013-1-ND
  别名：497-10013-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 7A 6-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 7A 1W Surface Mount 12-Power3.3x5
  
  型号：FDMD82100L
  仓库库存编号：FDMD82100LCT-ND
  别名：FDMD82100LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 250V 6A
  详细描述：通孔 P 沟道 6A（Tc） 50W（Tc） TO-220F-3（Y 型）
  
  型号：FQPF9P25YDTU
  仓库库存编号：FQPF9P25YDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 26A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Tc） 2.7W（Ta） 8-SO
  
  型号：STS26N3LLH6
  仓库库存编号：497-12348-1-ND
  别名：497-12348-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 50V 25A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 25A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2505
  仓库库存编号：DFB2505-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  BRIDGE RECT 100V 25A TS-6P
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 25A Through Hole TS-6P
  
  型号：DFB2510
  仓库库存编号：DFB2510-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Tc） 3.13W（Ta），180W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FQB34N20LTM
  仓库库存编号：FQB34N20LTMCT-ND
  别名：FQB34N20LTM-ND
  FQB34N20LTMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 7A PWRFLAT HV
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 55W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL15N60M2-EP
  仓库库存编号：497-15912-1-ND
  别名：497-15912-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索