产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），69.4W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIJ482DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIJ482DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIJ482DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 57A 8PQFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 57A（Tc） 54W（Tc） 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
型号：
FDMC86184
仓库库存编号：
FDMC86184CT-ND
别名：FDMC86184CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
搜索
STMicroelectronics
IGBT 600V 25A 80W TO220
详细描述：IGBT 600V 25A 80W Through Hole TO-220AB
型号：
STGP7NC60H
仓库库存编号：
497-4113-5-ND
别名：497-4113-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 150V
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 150V 2.4A (Ta), 900mA (Tc) 1.9W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
FDMC8097AC
仓库库存编号：
FDMC8097ACCT-ND
别名：FDMC8097ACCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Tc） 90W（Tc） D-Pak
型号：
STD17NF25
仓库库存编号：
497-7960-1-ND
别名：497-7960-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
型号：
SI4842BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4842BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4842BDY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 4.5A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 85W（Tc） D2PAK
型号：
STB6N80K5
仓库库存编号：
497-14974-1-ND
别名：497-14974-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Ta） 1.5W（Ta）
型号：
SI4427BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4427BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4427BDY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 120V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.6A（Ta），35A（Tc） 2.5W（Ta），104W（Tc） Power56
型号：
FDMS86201
仓库库存编号：
FDMS86201CT-ND
别名：FDMS86201CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS2672_F085
仓库库存编号：
FDS2672_F085CT-ND
别名：FDS2672_F085CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL7N10F7
仓库库存编号：
497-14990-1-ND
别名：497-14990-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 147A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 17.1A（Ta），147A（Tc） 930mW（Ta），69.44W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4934NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4934NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4934NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta），22A（Tc） 2.5W（Ta），36W（Tc） Power56
型号：
FDMS8027S
仓库库存编号：
FDMS8027SCT-ND
别名：FDMS8027SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N CH 150V 5.4A POWER 33
详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Ta），16A（Tc） 2.3W（Ta），54W（Tc） Power33
型号：
FDMC86260
仓库库存编号：
FDMC86260CT-ND
别名：FDMC86260CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A 8-PQFN
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 18A 1W Surface Mount Power56
型号：
FDMS3668S
仓库库存编号：
FDMS3668SCT-ND
别名：FDMS3668SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 4N-CH 60V 1.4A SM8
详细描述：Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 60V 1.4A 1.6W Surface Mount SM8
型号：
ZXMHN6A07T8TA
仓库库存编号：
ZXMHN6A07T8CT-ND
别名：ZXMHN6A07T8TR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.9A, 3.7A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号：
ZXMC6A09DN8TA
仓库库存编号：
ZXMC6A09DN8TACT-ND
别名：ZXMC6A09DN8TACT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 25V 23A POWER56
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），46W（Tc） Power56
型号：
FDMS7572S
仓库库存编号：
FDMS7572SCT-ND
别名：FDMS7572SCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Tc） 52W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL13N65M2
仓库库存编号：
497-15476-1-ND
别名：497-15476-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
IC RECT BRIDGE GPP 35A 100V GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A Through Hole GBJ
型号：
GBJ3501-BP
仓库库存编号：
GBJ3501-BPMS-ND
别名：GBJ3501-BPMS
GBJ3501BP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Micro Commercial Co
IC RECT BRIDGE GPP 35A 50V GBJ
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 35A Through Hole GBJ
型号：
GBJ35005-BP
仓库库存编号：
GBJ35005-BPMS-ND
别名：GBJ35005-BPMS
GBJ35005BP
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 100A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），100A（Tc） 3.1W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）
型号：
CSD16407Q5C
仓库库存编号：
296-25664-1-ND
别名：296-25664-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 11.2A 8SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
FDS86140
仓库库存编号：
FDS86140CT-ND
别名：FDS86140CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 4.2W（Ta），36W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR402DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR402DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR402DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 160A POWERFLAT56
详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 84W（Tc） PowerFlat?（5x6）
型号：
STL160NS3LLH7
仓库库存编号：
497-14988-1-ND
别名：497-14988-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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