产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3A(Tc) 90W(Tc) DPAK
型号:
STD3NK90ZT4
仓库库存编号:
497-12785-1-ND
别名:497-12785-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7460DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7460DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7460DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
IRF640STRLPBF
仓库库存编号:
IRF640STRLPBFCT-ND
别名:IRF640STRLPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK? SO-8 Dual
型号:
SI7949DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7949DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7949DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 38A(Tc) 3.5W(Ta),7.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4628DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4628DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4628DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 5A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7913DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7913DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7913DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 12A/17A 8-MLP
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 12A, 17A 800mW, 900mW Surface Mount 8-MLP (3x4.5)
型号:
FDML7610S
仓库库存编号:
FDML7610SCT-ND
别名:FDML7610SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO
型号:
FDS6912
仓库库存编号:
FDS6912CT-ND
别名:FDS6912CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 100A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 100A(Tc) 104W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SIR638DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SIR638DP-T1-GE3CT-ND
别名:SIR638DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 4.6A 1212-8
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4.6A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
型号:
SI7214DN-T1-E3
仓库库存编号:
SI7214DN-T1-E3CT-ND
别名:SI7214DN-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 6.2A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7850DP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7850DP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7850DP-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8 PPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 6A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK? 1212-8
型号:
SI7120ADN-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7120ADN-T1-GE3CT-ND
别名:SI7120ADN-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7454DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7454DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7454DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET 2N-CH 60V 4A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 4A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
STS4DNF60L
仓库库存编号:
497-3226-1-ND
别名:497-3226-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
BRIDGE RECT 1PHASE 1000V GBJL
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBJL
型号:
GBJL2510-BP
仓库库存编号:
GBJL2510-BP-ND
别名:GBJL2510
GBJL2510MS
GBJL2510MS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
详细描述:表面贴装 N 沟道 11A(Tc) 2.9W(Ta),50W(Tc) PowerFlat?(3.3x3.3)
型号:
STL11N4LLF5
仓库库存编号:
497-13650-1-ND
别名:497-13650-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
RECT BRIDGE GPP 25A 400V GBJ
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBJ
型号:
GBJ2504-BP
仓库库存编号:
GBJ2504-BPMS-ND
别名:GBJ2504-BPMS
GBJ2504BP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 26.5A SO8FL
详细描述:表面贴装 N 沟道 26.5A(Ta),207A(Tc) 1.5W(Ta) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
型号:
NTMFS4982NFT1G
仓库库存编号:
NTMFS4982NFT1GOSCT-ND
别名:NTMFS4982NFT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 6.5A(Tc) 147W(Tc) TO-220-3
型号:
FDP7N60NZ
仓库库存编号:
FDP7N60NZ-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 27.8A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 27.8A(Tc) 5W(Ta),35.7W(Tc) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7456DDP-T1-GE3
仓库库存编号:
SI7456DDP-T1-GE3CT-ND
别名:SI7456DDP-T1-GE3CT
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STMicroelectronics
IGBT 600V 13A 50W DPAK
详细描述:IGBT 600V 13A 50W Surface Mount D-Pak
型号:
STGDL6NC60DIT4
仓库库存编号:
497-8896-1-ND
别名:497-8896-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Central Semiconductor Corp
MOSFET N-CH 7A 600V DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 7A(Tc) 60W(Tc) DPAK
型号:
CDM7-600LR TR13
仓库库存编号:
CDM7-600LR TR13CT-ND
别名:CDM7-600LR TR13CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Tc) 2.7W(Tc) 8-SO
型号:
STS13N3LLH5
仓库库存编号:
497-12347-1-ND
别名:497-12347-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 3.9A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.9A(Tc) 3.13W(Ta),130W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
型号:
FQB4N80TM
仓库库存编号:
FQB4N80TMCT-ND
别名:FQB4N80TMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 60V 18A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4260
仓库库存编号:
785-1463-1-ND
别名:785-1463-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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