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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V SGL IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 90W（Tc） I-Pak
  
  型号：FDU7N60NZTU
  仓库库存编号：FDU7N60NZTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Global Power Technologies Group
  MOSFET N-CH 200V 18A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 94W（Tc） I-Pak
  
  型号：GP1M018A020PG
  仓库库存编号：1560-1190-5-ND
  别名：1560-1190-1
  1560-1190-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Tc） 3.7W（Ta），23W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR698DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR698DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR698DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMT6010LSS-13
  仓库库存编号：DMT6010LSS-13DICT-ND
  别名：DMT6010LSS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 159A ISOMETRICMF
  详细描述：表面贴装 N 沟道 159A（Tc） 83W（Tc） DirectFET? 等容 MF
  
  型号：IRF40DM229
  仓库库存编号：IRF40DM229CT-ND
  别名：IRF40DM229CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），60A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS8570S
  仓库库存编号：FDMS8570SCT-ND
  别名：FDMS8570SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A (Tc) 3.12W Surface Mount
  
  型号：SI5902BDC-T1-E3
  仓库库存编号：SI5902BDC-T1-E3CT-ND
  别名：SI5902BDC-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
  
  型号：STL12N3LLH5
  仓库库存编号：497-11844-1-ND
  别名：497-11844-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT N-CH 600V 7A IPAK
  详细描述：IGBT 600V 15A 62.5W Through Hole IPAK (TO-251)
  
  型号：STGD6NC60H-1
  仓库库存编号：497-15023-5-ND
  别名：497-15023-5
  STGD6NC60H-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22.7A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：FQD30N06TM
  仓库库存编号：FQD30N06TMCT-ND
  别名：FQD30N06TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI9926CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI9926CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI9926CDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N/P-CH 30V POWERFLAT
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 40A, 30A 60W Surface Mount PowerFlat? (5x6)
  
  型号：STL40C30H3LL
  仓库库存编号：497-15314-1-ND
  别名：497-15314-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 78A SO8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.9A（Ta），78A（Tc） 770mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4C55NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4C55NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4C55NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA04DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA04DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA04DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4A
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU5N50CTU_WS
  仓库库存编号：FQU5N50CTU_WS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 25.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25.4A（Tc） 2.5W（Ta），5.7W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4160DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4160DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4160DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR1N60ATRPBF
  仓库库存编号：IRFR1N60APBFCT-ND
  别名：*IRFR1N60ATRPBF
  IRFR1N60APBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR818DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR818DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR818DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.6A（Tc） 54W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD5N60TM_WS
  仓库库存编号：FCD5N60TM_WSCT-ND
  别名：FCD5N60TM_WSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 4W（Ta），75W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL110NS3LLH7
  仓库库存编号：497-16038-1-ND
  别名：497-16038-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 80V 5X6DFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），65A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
  
  型号：AON6448
  仓库库存编号：785-1228-1-ND
  别名：785-1228-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Ta） 2.3W（Ta），26W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC612PZ
  仓库库存编号：FDMC612PZCT-ND
  别名：FDMC612PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 2.3W（Ta），41W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC7660S
  仓库库存编号：FDMC7660SFSCT-ND
  别名：FDMC7660SFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.6A（Tc） 39W（Tc） D-Pak
  
  型号：FCD2250N80Z
  仓库库存编号：FCD2250N80ZCT-ND
  别名：FCD2250N80ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 4A 1.25W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMP4050SSDQ-13
  仓库库存编号：DMP4050SSDQ-13DICT-ND
  别名：DMP4050SSDQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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