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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 17.8W, 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7224DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7224DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7224DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40A（Tc） 5W（Ta），62.5W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA06DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA06DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA06DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18.3A（Tc） 2.3W（Ta），38.5W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD19P06-60-E3
  仓库库存编号：SUD19P06-60-E3CT-ND
  别名：SUD19P06-60-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.6A（Tc） 27.8W（Tc） I-Pak
  
  型号：FCU4300N80Z
  仓库库存编号：FCU4300N80Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） I-Pak
  
  型号：FQU4N50TU_WS
  仓库库存编号：FQU4N50TU_WS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP 45V/40V 2A SM8
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V, 40V 2A 150MHz, 100MHz 2.75W Surface Mount SM8
  
  型号：ZDT6790TA
  仓库库存编号：ZDT6790CT-ND
  别名：ZDT6790
  ZDT6790CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2PNP 25V 2A SM8
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 25V 2A 160MHz 2.75W Surface Mount SM8
  
  型号：ZDT749TA
  仓库库存编号：ZDT749CT-ND
  别名：ZDT749
  ZDT749CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET N-CH 25V 60A 8SON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），60A（Tc） 3W（Ta） 8-SON-EP（3x3）
  
  型号：CSD16323Q3C
  仓库库存编号：296-28096-1-ND
  别名：296-28096-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 28A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），83W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7570S
  仓库库存编号：FDMS7570SCT-ND
  别名：FDMS7570SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
  
  型号：ZXMN10A25GTA
  仓库库存编号：ZXMN10A25GTACT-ND
  别名：ZXMN10A25GCT
  ZXMN10A25GCT-ND
  ZXMN10A25GTACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP 80V 10A D2PAK-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 40MHz 2W Surface Mount D2PAK
  
  型号：MJB45H11T4G
  仓库库存编号：MJB45H11T4GOSCT-ND
  别名：MJB45H11T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：STS9NH3LL
  仓库库存编号：497-6189-1-ND
  别名：497-6189-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7386DP-T1-E3
  仓库库存编号：SI7386DP-T1-E3CT-ND
  别名：SI7386DP-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 1.8W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7386DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7386DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7386DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 17A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），33W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7578
  仓库库存编号：FDMS7578CT-ND
  别名：FDMS7578CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 31A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 31A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0300S
  仓库库存编号：FDMS0300SCT-ND
  别名：FDMS0300SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 68.8A（Tc） 3W（Ta） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：DMT10H010LK3-13
  仓库库存编号：DMT10H010LK3-13DICT-ND
  别名：DMT10H010LK3-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SO
  
  型号：SI4830CDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4830CDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4830CDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 15A 56W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 15A 56W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB6NC60HDT4
  仓库库存编号：497-5110-1-ND
  别名：497-5110-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECTIFIER 10A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 10A Through Hole GBU
  
  型号：GBU10D-BP
  仓库库存编号：GBU10D-BPMS-ND
  别名：GBU10D-BPMS
  GBU10DBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 89W（Tc） I-Pak
  
  型号：FDU6N50TU
  仓库库存编号：FDU6N50TU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 29A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 29A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0302S
  仓库库存编号：FDMS0302SCT-ND
  别名：FDMS0302SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECTIFIER 15A 600V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 15A Through Hole GBU
  
  型号：GBU15J-BP
  仓库库存编号：GBU15J-BPMS-ND
  别名：GBU15J-BPMS
  GBU15JBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECTIFIER 15A 800V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 15A Through Hole GBU
  
  型号：GBU15K-BP
  仓库库存编号：GBU15K-BPMS-ND
  别名：GBU15K-BPMS
  GBU15KBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECTIFIER 10A 400V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 10A Through Hole GBU
  
  型号：GBU10G-BP
  仓库库存编号：GBU10G-BPMS-ND
  别名：GBJ10G-BP
  GBJ10G-BPMS
  GBJ10G-BPMS-ND
  GBU10GBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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