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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：DI9435T
  仓库库存编号：981-DI9435T-CHP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  PCH -30V -18A MIDDLE POWER MOSFE
  详细描述：表面贴装 P 沟道 18A（Tc） 15W（Tc） 8-HSMT（3.2x3）
  
  型号：RQ3E075ATTB
  仓库库存编号：RQ3E075ATTBCT-ND
  别名：RQ3E075ATTBCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（5x6）
  
  型号：STL60N3LLH5
  仓库库存编号：497-11094-1-ND
  别名：497-11094-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 5.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.4A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
  
  型号：STD7NK40ZT4
  仓库库存编号：497-6565-1-ND
  别名：497-6565-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3604S
  仓库库存编号：FDMS3604SCT-ND
  别名：FDMS3604SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS5690
  仓库库存编号：FDS5690CT-ND
  别名：FDS5690CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8-MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.9A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），33W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC7672
  仓库库存编号：FDMC7672CT-ND
  别名：FDMC7672CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET P-CH 30V 17A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 17A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4423L
  仓库库存编号：785-1751-1-ND
  别名：785-1751-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 26A PT8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 26A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），59W（Tc） 8-PQFN（5x6），Power56
  
  型号：FDMS0306AS
  仓库库存编号：FDMS0306ASCT-ND
  别名：FDMS0306ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 20A 65W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 20A 65W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB10NC60KT4
  仓库库存编号：497-5737-1-ND
  别名：497-5737-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
  
  型号：FDMC8200S
  仓库库存编号：FDMC8200SCT-ND
  别名：FDMC8200SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7629DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7629DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7629DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 4.5A 1.5W Surface Mount 12-DSBGA
  
  型号：CSD86311W1723
  仓库库存编号：296-27599-1-ND
  别名：296-27599-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13.5A（Ta），28A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7692A
  仓库库存编号：FDMS7692ACT-ND
  别名：FDMS7692ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.2A 690mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FDC8602
  仓库库存编号：FDC8602CT-ND
  别名：FDC8602CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.7A（Ta），49A（Tc） 2.3W（Ta），52W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC7582
  仓库库存编号：FDMC7582CT-ND
  别名：FDMC7582CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 19A（Ta），21A（Tc） 2.4W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8026S
  仓库库存编号：FDMC8026SCT-ND
  别名：FDMC8026SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 12A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Tc） 3.5W（Ta），19.2W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA432DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA432DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA432DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.5A（Ta） 1.4W（Ta）
  
  型号：SI4410BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4410BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4410BDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：FDD3510H
  仓库库存编号：FDD3510HCT-ND
  别名：FDD3510HCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT89-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tj） 1.6W（Ta） TO-243AA（SOT-89）
  
  型号：VN2460N8-G
  仓库库存编号：VN2460N8-GCT-ND
  别名：VN2460N8-GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 36A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 36A（Ta） 2.18W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP3010LPSQ-13
  仓库库存编号：DMP3010LPSQ-13DICT-ND
  别名：DMP3010LPSQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 150V 2A POWER33
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta），8.4A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC86262P
  仓库库存编号：FDMC86262PCT-ND
  别名：FDMC86262PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 4A 650V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Ta） 620mW（Ta）, 77W（Tc） DPAK
  
  型号：CDM4-650 TR13
  仓库库存编号：CDM4-650 TR13CT-ND
  别名：CDM4-650 TR13CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21.5A（Tc） 4.45W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4866BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4866BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4866BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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