产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 10.2A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.2A（Ta），70A（Tc） 2.3W（Ta）, 113W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMT69M8LPS-13
仓库库存编号：
DMT69M8LPS-13DICT-ND
别名：DMT69M8LPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 35A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS454DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS454DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS454DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 9.5A POWER33
详细描述：表面贴装 P 沟道 9.5A（Ta），20A（Tc） 2.3W（Ta），36W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC6675BZ
仓库库存编号：
FDMC6675BZCT-ND
别名：FDMC6675BZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 25A（Tc） 3.6W（Ta），33W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS407DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS407DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS407DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta） 2.15W（Ta） TO-252-3
型号：
ZXMN3A04KTC
仓库库存编号：
ZXMN3A04KTCCT-ND
别名：ZXMN3A04KTCCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 32W（Tc） I-Pak
型号：
FCU3400N80Z
仓库库存编号：
FCU3400N80Z-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.7A, 6.1A 1.6W, 1.7W Surface Mount 8-TSSOP
型号：
SI6562CDQ-T1-GE3
仓库库存编号：
SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND
别名：SI6562CDQ-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），81A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16404Q5A
仓库库存编号：
296-24250-1-ND
别名：296-24250-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 15.3A（Tc） 42W（Tc） TO-252-5
型号：
FDD850N10LD
仓库库存编号：
FDD850N10LDCT-ND
别名：FDD850N10LDCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 800V 2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 2A（Tc） 32W（Tc） DPAK
型号：
FCD3400N80Z
仓库库存编号：
FCD3400N80ZCT-ND
别名：FCD3400N80ZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Tc） 27W（Tc） DPAK
型号：
STD1HN60K3
仓库库存编号：
497-13748-1-ND
别名：497-13748-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 40V 0.63A TO243AA
详细描述：表面贴装 N 沟道 630mA（Tj） 1.6W（Tc） TO-243AA（SOT-89）
型号：
TN0104N8-G
仓库库存编号：
TN0104N8-GCT-ND
别名：TN0104N8-GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 150V 1A MLP
详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta），1.8A（Tc） 2.3W（Ta），16W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3），Power33
型号：
FDMC86265P
仓库库存编号：
FDMC86265PCT-ND
别名：FDMC86265PCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6WLCSP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 500mW Surface Mount 6-WLCSP (1.3x2.3)
型号：
FDZ1323NZ
仓库库存编号：
FDZ1323NZCT-ND
别名：FDZ1323NZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4916DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4916DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4916DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 30V 3.98A, 3.36A 870mW Surface Mount 8-SOP
型号：
ZXMHC3F381N8TC
仓库库存编号：
ZXMHC3F381N8DICT-ND
别名：ZXMHC3F381N8DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 14A TO252 DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 14A（Ta），35A（Tc） 3.5W（Ta） TO-252
型号：
DMP4015SK3Q-13
仓库库存编号：
DMP4015SK3Q-13DICT-ND
别名：DMP4015SK3Q-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
型号：
FDMA7672
仓库库存编号：
FDMA7672CT-ND
别名：FDMA7672CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Ta），87A（Tc） 2.3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMT6009LPS-13
仓库库存编号：
DMT6009LPS-13DICT-ND
别名：DMT6009LPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 80V 12.9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 12.9A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FQD17N08LTM
仓库库存编号：
FQD17N08LTMCT-ND
别名：FQD17N08LTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 8.6A, 6.2A 1.2W Surface Mount 8-SO
型号：
DMC4015SSD-13
仓库库存编号：
DMC4015SSD-13DICT-ND
别名：DMC4015SSD-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 200V 7.6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Tc） 2.5W（Ta），51W（Tc） TO-252，（D-Pak）
型号：
FQD10N20LTM
仓库库存编号：
FQD10N20LTMCT-ND
别名：FQD10N20LTMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N/2P-CHA 60V 3.1A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 60V 3.1A, 2.4A 1.6W Surface Mount 8-SO
型号：
DMHC6070LSD-13
仓库库存编号：
DMHC6070LSD-13DICT-ND
别名：DMHC6070LSD-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 30V 27A 2.5W Surface Mount 8-VSON (3.3x3.3)
型号：
CSD87312Q3E
仓库库存编号：
296-35526-1-ND
别名：296-35526-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 11A
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），34A（Tc） 2.08W（Ta），19.2W（Tc） PowerDI3333-8
型号：
DMT6009LFG-7
仓库库存编号：
DMT6009LFG-7DICT-ND
别名：DMT6009LFG-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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