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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 4.2A PWRDI3333
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.2A（Ta） 980mW（Ta） PowerDI3333-8
  
  型号：DMN10H099SFG-7
  仓库库存编号：DMN10H099SFG-7DICT-ND
  别名：DMN10H099SFG-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 460V 1.5A TO252
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 460V 1.5A 4MHz 1.6W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
  
  型号：DXT13003EK-13
  仓库库存编号：DXT13003EK-13DICT-ND
  别名：DXT13003EK-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 2.44 A SOT-23-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Ta） 1.1W（Ta） SOT-23-6
  
  型号：ZXMN2A01E6TA
  仓库库存编号：ZXMN2A01E6CT-ND
  别名：ZXMN2A01E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 7A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5E070BNTCL
  仓库库存编号：RQ5E070BNTCLCT-ND
  别名：RQ5E070BNTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 12V 4.5A SOT23F-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 4.5A 220MHz 1.5W Surface Mount SOT-23F
  
  型号：ZXTN07012EFFTA
  仓库库存编号：ZXTN07012EFFCT-ND
  别名：ZXTN07012EFFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 60V 5.1A/3.1A 8-SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 60V 5.1A, 3.1A 1.24W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMC6040SSD-13
  仓库库存编号：DMC6040SSD-13DICT-ND
  别名：DMC6040SSD-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta），7.5A（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4620DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4620DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4620DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9A（Tc） 2.5W（Ta），4.2W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4431CDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4431CDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4431CDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.4W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4778DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4778DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4778DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 250V 0.83A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 830mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FQT4N25TF
  仓库库存编号：FQT4N25TFCT-ND
  别名：FQT4N25TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 500mA 300mW Surface Mount SC-70-6
  
  型号：FDG6318P
  仓库库存编号：FDG6318PFSCT-ND
  别名：FDG6318PFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 1.8A 6MICROFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.8A（Ta） 1.4W（Ta） 6-MicroFET（1.6x1.6）
  
  型号：FDFME3N311ZT
  仓库库存编号：FDFME3N311ZTCT-ND
  别名：FDFME3N311ZTCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
  详细描述：表面贴装 P 沟道 6A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型
  
  型号：FDME510PZT
  仓库库存编号：FDME510PZTCT-ND
  别名：FDME510PZTCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 2.6A 600mW Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
  
  型号：FDME1023PZT
  仓库库存编号：FDME1023PZTCT-ND
  别名：FDME1023PZTCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 140V 4A POWERDI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 4A 120MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
  
  型号：DXT2014P5-13
  仓库库存编号：DXT2014P5-13CT-ND
  别名：DXT2014P5-13CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECT 2A 600V KBPR
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 2A Through Hole KBPR
  
  型号：KBP206-BP
  仓库库存编号：KBP206-BPMS-ND
  别名：KBP206-BPMS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 100V 4A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 4A 75MHz 1.2W Surface Mount SOT-223-4
  
  型号：NZT753
  仓库库存编号：NZT753CT-ND
  别名：NZT753CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 100V 2A POWERDI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 2A 175MHz 740mW Surface Mount PowerDI? 5
  
  型号：DXTN07100BP5-13
  仓库库存编号：DXTN07100BP5-13DICT-ND
  别名：DXTN07100BP5-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 37.8A SC70-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37.8A（Tc） 19W（Tc） PowerPAK? SC-70-6 单
  
  型号：SIA468DJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA468DJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA468DJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
  
  型号：SIA537EDJ-T1-GE3
  仓库库存编号：SIA537EDJ-T1-GE3CT-ND
  别名：SIA537EDJ-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECT 2A 1KV KBPR
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 2A Through Hole KBPR
  
  型号：KBP210-BP
  仓库库存编号：KBP210-BPMS-ND
  别名：KBP210-BPMS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Tc） 2.5W（Ta），40W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD13N10TM
  仓库库存编号：FQD13N10TMCT-ND
  别名：FQD13N10TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 3.5A 110MHz 1.1W Surface Mount SOT-26
  
  型号：ZXTP2006E6TA
  仓库库存编号：ZXTP2006E6CT-ND
  别名：ZXTP2006E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.1A（Ta） 1.8W（Ta），14W（Tc） SOT-223
  
  型号：DMP6250SE-13
  仓库库存编号：DMP6250SE-13DICT-ND
  别名：DMP6250SE-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），8A（Tc） 1.9W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA8884
  仓库库存编号：FDMA8884CT-ND
  别名：FDMA8884CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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