产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 60V 5.5A POWERDI5
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5.5A 120MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
型号:
DXT2012P5-13
仓库库存编号:
DXT2012P5-13CT-ND
别名:DXT2012P5-13CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN DARL 120V 1.5A PWRDI5
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 1.5A 150MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
型号:
ZXTN04120HP5TC
仓库库存编号:
ZXTN04120HP5TCDICT-ND
别名:ZXTN04120HP5TCDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
详细描述:表面贴装 N 沟道 19A(Ta),28A(Tc) 2.5W(Ta),48W(Tc) Power56
型号:
FDMS7672
仓库库存编号:
FDMS7672CT-ND
别名:FDMS7672CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 9.7A(Ta) 3.1W(Ta) 8-SOIC
型号:
AO4419
仓库库存编号:
785-1024-1-ND
别名:785-1024-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 100V 5A POWERDI5
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 5A 125MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
型号:
DXT2013P5-13
仓库库存编号:
DXT2013P5-13CT-ND
别名:DXT2013P5-13CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 1A 65MHz 405mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DSS5160FDB-7
仓库库存编号:
DSS5160FDB-7DICT-ND
别名:DSS5160FDB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 2.9A SOT26
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.9A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-26
型号:
ZXMP4A57E6TA
仓库库存编号:
ZXMP4A57E6TACT-ND
别名:ZXMP4A57E6TACT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.7A(Ta) 740mW(Ta) X1-WLB0808-4
型号:
DMN1054UCB4-7
仓库库存编号:
DMN1054UCB4-7DICT-ND
别名:DMN1054UCB4-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223-4
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 1.1W(Ta) SOT-223-4
型号:
HUFA75307T3ST
仓库库存编号:
HUFA75307T3STCT-ND
别名:HUFA75307T3STCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 180V 0.5A TO252
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 180V 500mA 70MHz 3.9W Surface Mount TO-252
型号:
DXT696BK-13
仓库库存编号:
DXT696BK-13DICT-ND
别名:DXT696BK-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.7A(Tc) 1.5W(Ta),2.78W(Tc) SC-70-6(SOT-363)
型号:
SI1473DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1473DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1473DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 5A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 5A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN6040SVTQ-7
仓库库存编号:
DMN6040SVTQ-7DICT-ND
别名:DMN6040SVTQ-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CHA 60V 9.2A SO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 9.2A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMT6017LSS-13
仓库库存编号:
DMT6017LSS-13DICT-ND
别名:DMT6017LSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 10A POWERDI5060
详细描述:表面贴装 N 沟道 10A(Ta),36A(Tc) 1.1W(Ta) PowerDI5060-8
型号:
DMN2027UPS-13
仓库库存编号:
DMN2027UPS-13DICT-ND
别名:DMN2027UPS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS NPN/PNP 1A 60V U-DFN2020-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 60V 1A 175MHz, 65MHz 405mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DSS45160FDB-7
仓库库存编号:
DSS45160FDB-7DICT-ND
别名:DSS45160FDB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 4.1A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 4.1A(Tc) 1.7W(Ta),2.8W(Tc) 8-SO
型号:
SI4823DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4823DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4823DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 6A(Tc) 2.4W(Ta),5W(Tc) 8-SO
型号:
SI4485DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4485DY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4485DY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
型号:
SI4501BDY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4501BDY-T1-GE3CT-ND
别名:SI4501BDY-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 300V 0.2A SOT89-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 200mA(Tj) 1.6W(Ta) TO-243AA(SOT-89)
型号:
DN2530N8-G
仓库库存编号:
DN2530N8-GCT-ND
别名:DN2530N8-GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 60V 6A SOT223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 120MHz 1.6W Surface Mount SOT-223
型号:
ZX5T1951GTA
仓库库存编号:
ZX5T1951GTADICT-ND
别名:ZX5T1951GTADICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS NPH U-DFN2020-6
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 1A 175MHz 405mW Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DSS4160FDB-7
仓库库存编号:
DSS4160FDB-7DICT-ND
别名:DSS4160FDB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
详细描述:表面贴装 N 沟道 4A(Tc) 3.3W(Tc) SOT-223
型号:
STN3NF06L
仓库库存编号:
497-3177-1-ND
别名:497-3177-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK? SC-70-6 Dual
型号:
SIA923EDJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA923EDJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA923EDJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 5.4A 1206-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 5.4A(Ta) 1.3W(Ta) 1206-8 ChipFET?
型号:
SI5404BDC-T1-E3
仓库库存编号:
SI5404BDC-T1-E3CT-ND
别名:SI5404BDC-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 4.5A (Tc) 7.8W Surface Mount
型号:
SIA929DJ-T1-GE3
仓库库存编号:
SIA929DJ-T1-GE3CT-ND
别名:SIA929DJ-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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