产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 6.2A, 4.4A 900mW Surface Mount 8-SO
型号：
FDS4897C
仓库库存编号：
FDS4897CCT-ND
别名：FDS4897CCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Ta） 360mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
TN2404K-T1-E3
仓库库存编号：
TN2404K-T1-E3CT-ND
别名：TN2404K-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.9A 2.8W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4936BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4936BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4936BDY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.7A, 3A 1.13W, 1.2W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4532ADY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4532ADY-T1-E3CT-ND
别名：SI4532ADY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 4.3A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR110TRPBF
仓库库存编号：
IRFR110PBFCT-ND
别名：*IRFR110TRPBF
IRFR110PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 1.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMP6A13GTA
仓库库存编号：
ZXMP6A13GCT-ND
别名：ZXMP6A13GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 200V 3.7A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） D-Pak
型号：
FQD5P20TM
仓库库存编号：
FQD5P20TMCT-ND
别名：FQD5P20TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3.8A 600mW Surface Mount 6-MicroFET (1.6x1.6)
型号：
FDME1024NZT
仓库库存编号：
FDME1024NZTCT-ND
别名：FDME1024NZTCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.3A（Ta） 2.4W（Ta） SOT-223-4
型号：
IRFM120ATF
仓库库存编号：
IRFM120ATFCT-ND
别名：IRFM120ATFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
详细描述：表面贴装 N 沟道 200mA（Tc） 2.1W（Tc） SOT-223-4
型号：
FQT1N60CTF_WS
仓库库存编号：
FQT1N60CTF_WSCT-ND
别名：FQT1N60CTF_WSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMP6A17GTA
仓库库存编号：
ZXMP6A17GCT-ND
别名：ZXMP6A17GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5515CDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5515CDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5515CDC-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2W（Ta），4.1W（Tc） 6-TSOP
型号：
SI3410DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3410DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3410DV-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
RECTIFIER SBR 60V 500MA 4-DFN
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 60V 500mA Surface Mount 4-DFN3030 (3x3)
型号：
SBR05M60BLP-7
仓库库存编号：
SBR05M60BLPDICT-ND
别名：SBR05M60BLPDICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 60V 2.4A SOT-89
详细描述：表面贴装 N 沟道 2.7A（Ta） 1.5W（Ta） SOT-89-3
型号：
ZXMN6A11ZTA
仓库库存编号：
ZXMN6A11ZCT-ND
别名：ZXMN6A11ZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 40V 8.5A POWERDI
详细描述：表面贴装 P 沟道 8.5A（Ta） 1.3W（Ta） PowerDI5060-8
型号：
DMP4015SPS-13
仓库库存编号：
DMP4015SPS-13DICT-ND
别名：DMP4015SPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
FDS6675BZ
仓库库存编号：
FDS6675BZCT-ND
别名：FDS6675BZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 1A（Tc） 30W（Tc） D-Pak
型号：
STD1NK60T4
仓库库存编号：
497-2483-1-ND
别名：497-2483-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SO
型号：
SI9945BDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI9945BDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI9945BDY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 5.7A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO
型号：
SI4431BDY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4431BDY-T1-E3CT-ND
别名：SI4431BDY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS438DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS438DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS438DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 56A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），56A（Tc） 2.7W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）
型号：
CSD16411Q3
仓库库存编号：
296-24255-1-ND
别名：296-24255-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
详细描述：表面贴装 P 沟道 2.6A（Ta） 2W（Ta） SOT-223
型号：
ZXMP7A17GTA
仓库库存编号：
ZXMP7A17GCT-ND
别名：ZXMP7A17GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 45A 8DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 45A（Ta），50A（Tc） 6.2W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（3x3）
型号：
AON7528
仓库库存编号：
785-1506-1-ND
别名：785-1506-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 50A 8SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta），50A（Tc） 3.2W（Ta），75W（Tc） 8-SON（5x6）
型号：
CSD18537NQ5A
仓库库存编号：
296-36455-1-ND
别名：296-36455-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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