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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 43A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60AE-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N60AE-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 29.0A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 31.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF34NM60N
  仓库库存编号：497-11887-5-ND
  别名：497-11887-5
  STF34NM60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 40W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI40N60M2
  仓库库存编号：497-14195-5-ND
  别名：497-14195-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 19.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP25N80K5
  仓库库存编号：497-13653-5-ND
  别名：497-13653-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW47N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHW47N60E-GE3-ND
  别名：SIHW47N60E-GE3CT
  SIHW47N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 357W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 19.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW25N80K5
  仓库库存编号：497-13659-5-ND
  别名：497-13659-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW40N60M2
  仓库库存编号：497-14203-5-ND
  别名：497-14203-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Rohm Semiconductor
  NCH 600V 35A POWER MOSFET
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 102W（Tc） TO-3PF
  
  型号：R6035KNZC8
  仓库库存编号：R6035KNZC8-ND
  别名：R6035KNZC8TR
  R6035KNZC8TR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 12A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 180W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH12N50F
  仓库库存编号：IXFH12N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Transphorm
  MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 81W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LDB
  仓库库存编号：TPH3206LDB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Transphorm
  MOSFET N-CH GANFET 650V 16A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 81W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LSB
  仓库库存编号：TPH3206LSB-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Transphorm
  GAN FET 650V 16A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 81W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3206LDGB
  仓库库存编号：TPH3206LDGB-ND
  别名：TPH3206LDG
  TPH3206LDG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 64A 500W TO264
  详细描述：IGBT NPT 1200V 64A 500W Through Hole TO-264
  
  型号：FGL40N120ANTU
  仓库库存编号：FGL40N120ANTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 42A I2PAK-3
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 250W（Tc） I2PAK
  
  型号：STI57N65M5
  仓库库存编号：497-13107-5-ND
  别名：497-13107-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 75A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 592W（Tc） TO-247
  
  型号：FCH043N60
  仓库库存编号：FCH043N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  GAN FET 650V 20A PQFN88
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 96W（Tc） PQFN（8x8）
  
  型号：TPH3208LDG
  仓库库存编号：TPH3208LDG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG70N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG70N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1KV 6A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 180W（Tc） TO-268（IXFT）
  
  型号：IXFT6N100F
  仓库库存编号：IXFT6N100F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 21A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXFH）
  
  型号：IXFH21N50F
  仓库库存编号：IXFH21N50F-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
  
  型号：SIHW61N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHW61N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 64A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG61N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG61N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 87A（Tc） 625W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：SIHS90N65E-E3
  仓库库存编号：SIHS90N65E-E3CT-ND
  别名：SIHS90N65E-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 950V 22A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 400W（Tc） TO-247
  
  型号：STW25N95K3
  仓库库存编号：497-11148-5-ND
  别名：497-11148-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 54A（Tc） 330W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXTR102N65X2
  仓库库存编号：IXTR102N65X2-ND
  别名：632316
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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