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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA21N65EF-E3
  仓库库存编号：SIHA21N65EF-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 208W（Tc）
  
  型号：SIHP12N50C-E3
  仓库库存编号：SIHP12N50C-E3-ND
  别名：SIHP12N50C-E3CT
  SIHP12N50C-E3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP25N60EFL-GE3
  仓库库存编号：SIHP25N60EFL-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 550V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 192W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW50R140CP
  仓库库存编号：IPW50R140CP-ND
  别名：IPW50R140CPFKSA1
  SP000234989
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 25A TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 192W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB25N120FLWG
  仓库库存编号：NGTB25N120FLWGOS-ND
  别名：NGTB25N120FLWG-ND
  NGTB25N120FLWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 22A PWRPAK 8X8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 174W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SIHH20N50E-T1-GE3
  仓库库存编号：SIHH20N50E-T1-GE3-ND
  别名：SIHH20N50E-T1-GE3CT
  SIHH20N50E-T1-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：STP20N65M5
  仓库库存编号：497-13538-ND
  别名：497-13538
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 26A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 190W（Tc） I2PAK（TO-262）
  
  型号：STI33N60M2
  仓库库存编号：497-15016-5-ND
  别名：497-15016-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW7N95K3
  仓库库存编号：497-8798-5-ND
  别名：497-8798-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 18A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 150W（Tc） TO-247
  
  型号：STW24N60M2
  仓库库存编号：497-13594-5-ND
  别名：497-13594-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB21N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB21N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG25N60EFL-GE3
  仓库库存编号：SIHG25N60EFL-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG21N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG21N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 18A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 130W（Tc） TO-247
  
  型号：STW20N65M5
  仓库库存编号：497-13542-ND
  别名：497-13542
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 4.1A（Tc） 125W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFPE30PBF
  仓库库存编号：IRFPE30PBF-ND
  别名：*IRFPE30PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 70A 200W TO247
  详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW35NB60SD
  仓库库存编号：497-16202-5-ND
  别名：497-16202-5
  STGW35NB60SD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 34A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 540W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP34N65X2
  仓库库存编号：IXFP34N65X2-ND
  别名：IXFP34N65X2X
  IXFP34N65X2X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHP24N65E-E3-ND
  别名：SIHP24N65EE3
  
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  MOSFET N-CH 650V 28A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 190W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STI34N65M5
  仓库库存编号：497-13439-ND
  别名：497-13439
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 32A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF35N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHF35N60E-GE3-ND
  
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  MOSFET N-CH 950V 10A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF13N95K3
  仓库库存编号：497-12568-5-ND
  别名：497-12568-5
  STF13N95K3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHA24N65EF-E3
  仓库库存编号：SIHA24N65EF-E3-ND
  
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  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB24N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65E-GE3-ND
  别名：SIHB24N65EGE3
  
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  MOSFET N CH 950V 10A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 40W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI13N95K3
  仓库库存编号：497-13267-5-ND
  别名：497-13267-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 24A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB24N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB24N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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