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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 42A 160W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 42A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC40KPBF
  仓库库存编号：IRG4PC40KPBF-ND
  别名：*IRG4PC40KPBF
  SP001541874
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 179W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP22N60AE-GE3
  仓库库存编号：SIHP22N60AE-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW19NM60N
  仓库库存编号：497-13792-5-ND
  别名：497-13792-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP14NK60ZFP
  仓库库存编号：497-12608-5-ND
  别名：497-12608-5
  STP14NK60ZFP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 179W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB22N60AE-GE3
  仓库库存编号：SIHB22N60AE-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.5A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
  
  型号：STP7NM80
  仓库库存编号：497-8813-5-ND
  别名：497-8813-5
  STP7NM80-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  BRIDGE RECTIFIER 600V 8.0A D-72
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 8A Through Hole D-72
  
  型号：VS-KBPC806PBF
  仓库库存编号：VS-KBPC806PBF-ND
  别名：VSKBPC806PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 109W（Tc） TO-220
  
  型号：STP13NM60ND
  仓库库存编号：497-13881-5-ND
  别名：497-13881-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 20A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 179W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60AE-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60AE-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 13A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STP13NK60ZFP
  仓库库存编号：497-12605-5-ND
  别名：497-12605-5
  STP13NK60ZFP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N CH 800V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 110W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU7N80K5
  仓库库存编号：497-13656-5-ND
  别名：497-13656-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc）
  
  型号：SIHP22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHP22N60E-GE3-ND
  别名：SIHP22N60E-GE3CT
  SIHP22N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 110W（Tc） TO-247
  
  型号：STW18N60M2
  仓库库存编号：497-15284-5-ND
  别名：497-15284-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 30W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI24NM60N
  仓库库存编号：497-12859-5-ND
  别名：497-12859-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 130W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10N105K5
  仓库库存编号：497-15272-5-ND
  别名：497-15272-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R165CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R165CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R165CP
  IPP60R165CP-ND
  IPP60R165CPX
  IPP60R165CPXK
  SP000084279
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 1200V 15A TO247-3
  详细描述：IGBT 1200V 30A 156W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB15N120FLWG
  仓库库存编号：NGTB15N120FLWGOS-ND
  别名：NGTB15N120FLWG-ND
  NGTB15N120FLWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 1050V 6A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N105K5
  仓库库存编号：497-15266-5-ND
  别名：497-15266-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 16A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 167W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP16N60
  仓库库存编号：FCP16N60-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 650V 22A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Tc） 390W（Tc） TO-263
  
  型号：IXFA22N65X2
  仓库库存编号：IXFA22N65X2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 250V 28A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 110W（Tc） TO-220
  
  型号：STP52N25M5
  仓库库存编号：497-11233-5-ND
  别名：497-11233-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 21A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP21N65EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP21N65EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.2A（Tc） 125W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRFBC40ASPBF
  仓库库存编号：IRFBC40ASPBF-ND
  别名：*IRFBC40ASPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG22N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG22N60E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 32.4A（Tc） 313W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N65E-GE3CT-ND
  别名：SIHG33N65E-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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