产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 4A POWER33
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4A（Ta），16A（Tc） 2.5W（Ta），31W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
型号：
FDMC8622
仓库库存编号：
FDMC8622CT-ND
别名：FDMC8622CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 48W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA52DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA52DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA52DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A D3K
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole D3K
型号：
UG6KB60TB
仓库库存编号：
1655-1842-ND
别名：1655-1842
1655-1842-1
1655-1842-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A D3K
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole D3K
型号：
UG6KB100TB
仓库库存编号：
1655-1841-ND
别名：1655-1841
1655-1841-1
1655-1841-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
型号：
SIZ730DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ730DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ730DT-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252
详细描述：表面贴装 N 沟道 650V 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD65R600C6
仓库库存编号：
IPD65R600C6BTMA1CT-ND
别名：IPD65R600C6CT
IPD65R600C6CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 4.4A（Tc） 70W（Tc） D-Pak
型号：
STD5NK50ZT4
仓库库存编号：
497-3520-1-ND
别名：497-3520-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A SO8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA60DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIRA60DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIRA60DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：通孔 N 沟道 60V 38A（Tc） 46W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM170N06CH C5G
仓库库存编号：
TSM170N06CH C5G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM024NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM024NA04LCR RLGTR-ND
别名：TSM024NA04LCR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM024NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM024NA04LCR RLGCT-ND
别名：TSM024NA04LCR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 170A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM024NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM024NA04LCR RLGDKR-ND
别名：TSM024NA04LCR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 17A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4459CS RLG
仓库库存编号：
TSM4459CS RLGTR-ND
别名：TSM4459CS RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 17A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4459CS RLG
仓库库存编号：
TSM4459CS RLGCT-ND
别名：TSM4459CS RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 17A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOP
型号：
TSM4459CS RLG
仓库库存编号：
TSM4459CS RLGDKR-ND
别名：TSM4459CS RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA04LCR RLGTR-ND
别名：TSM033NA04LCR RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA04LCR RLGCT-ND
别名：TSM033NA04LCR RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 141A（Tc） 125W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM033NA04LCR RLG
仓库库存编号：
TSM033NA04LCR RLGDKR-ND
别名：TSM033NA04LCR RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Tc） 2W（Ta），50W（Tc） PowerFlat?（3.3x3.3）
型号：
STL8NH3LL
仓库库存编号：
497-4115-1-ND
别名：497-4115-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 100A（Tc） 109W（Tc） LFPAK56，Power-SO8
型号：
PSMN1R5-25YL,115
仓库库存编号：
1727-4275-1-ND
别名：1727-4275-1
568-4907-1
568-4907-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 81.7A（Ta）, 100A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIRA20DP-T1-RE3
仓库库存编号：
SIRA20DP-T1-RE3CT-ND
别名：SIRA20DP-T1-RE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 620V 6A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
SIHD6N62E-GE3
仓库库存编号：
SIHD6N62E-GE3-ND
别名：SIHD6N62E-GE3CT
SIHD6N62E-GE3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 650V 4A（Tc） 70W（Tc） TO-251（IPAK）
型号：
TSM4NB65CH C5G
仓库库存编号：
TSM4NB65CH C5G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Rohm Semiconductor
MOSFET P-CH 45V 7A SOP8
详细描述：表面贴装 P 沟道 45V 7A（Ta） 2W（Ta） 8-SOP
型号：
RSH070P05GZETB
仓库库存编号：
RSH070P05GZETBCT-ND
别名：RSH070P05GZETBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 55A（Tc） 60W（Tc） PowerFlat?（6x5）
型号：
STL55NH3LL
仓库库存编号：
497-7018-1-ND
别名：497-7018-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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