产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP
型号：
SI3590DV-T1-GE3
仓库库存编号：
SI3590DV-T1-GE3CT-ND
别名：SI3590DV-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 240V 200MA TO236
详细描述：表面贴装 N 沟道 240V 200mA（Ta） 360mW（Ta）
型号：
TN2404K-T1-GE3
仓库库存编号：
TN2404K-T1-GE3CT-ND
别名：TN2404K-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 3.7A（Tc） 48W（Ta） TO-252
型号：
DMG4N60SK3-13
仓库库存编号：
DMG4N60SK3-13DICT-ND
别名：DMG4N60SK3-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 27A PQFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 27A（Ta），50A（Tc） 3.6W（Ta），59W（Tc） 8-PQFN（5x6）
型号：
IRFH8316TRPBF
仓库库存编号：
IRFH8316TRPBFCT-ND
别名：IRFH8316TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 8A DPAK-4
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 85MHz 1.75W Surface Mount DPAK
型号：
NJVMJD44H11T4G-VF01
仓库库存编号：
NJVMJD44H11T4G-VF01OSCT-ND
别名：NJVMJD44H11T4G-VF01OSCT
NJVMJD44H11T4GOSCT
NJVMJD44H11T4GOSCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P CHAN 100V SO8 DUAL
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 100V 3.4A, 2.8A 2.4W, 3.4W Surface Mount 8-SO
型号：
SI4590DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4590DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4590DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 60A 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SISA24DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISA24DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISA24DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 2.4A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 2.4A（Tc） 45W（Tc） D-Pak
型号：
STD3NK60ZT4
仓库库存编号：
497-4102-1-ND
别名：497-4102-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 21A（Ta），140A（Tc） 2.7W（Ta），113W（Tc） PowerDI5060-8
型号：
DMT3004LPS-13
仓库库存编号：
DMT3004LPS-13DICT-ND
别名：DMT3004LPS-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 15.7A (Ta), 100A (Tc) 3.6W, 4.3W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
型号：
SIZ342DT-T1-GE3
仓库库存编号：
SIZ342DT-T1-GE3CT-ND
别名：SIZ342DT-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CHAN 2.5V SO8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 13.6A（Ta），49A（Tc） 2.7W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4463CDY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4463CDY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4463CDY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 14.9A（Tc） 6.9W（Tc） 8-SO
型号：
PMK30EP,518
仓库库存编号：
1727-7203-1-ND
别名：1727-7203-1
568-9694-1
568-9694-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Comchip Technology
RECT BRIDGE GPP 50V 1A DF
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 50V Through Hole 4-DF
型号：
DF005-G
仓库库存编号：
641-1337-5-ND
别名：641-1337-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 50A（Tc） 5W（Ta），39W（Tc）
型号：
SIR401DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR401DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR401DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Nexperia USA Inc.
MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223
详细描述：表面贴装 N 沟道 250V 375mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-223
型号：
BSP126,115
仓库库存编号：
1727-4927-1-ND
别名：1727-4927-1
568-6219-1
568-6219-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A/9.7A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6.4A, 9.7A 1.4W, 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7902TRPBF
仓库库存编号：
IRF7902TRPBFCT-ND
别名：IRF7902TRPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DB-M
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole DB-M
型号：
DB105TB
仓库库存编号：
1655-1825-ND
别名：1655-1825
1655-1825-1
1655-1825-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-M
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole DB-M
型号：
DB107TB
仓库库存编号：
1655-1826-ND
别名：1655-1826
1655-1826-1
1655-1826-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A D3K
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole D3K
型号：
UG3KB100GTB
仓库库存编号：
1655-1837-ND
别名：1655-1837
1655-1837-1
1655-1837-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 1kV Through Hole KBP
型号：
KBP310GTB
仓库库存编号：
1655-1832-ND
别名：1655-1832
1655-1832-1
1655-1832-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A D3K
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole D3K
型号：
UG3KB60GTB
仓库库存编号：
1655-1838-ND
别名：1655-1838
1655-1838-1
1655-1838-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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SMC Diode Solutions
BRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A KBP
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 600V Through Hole KBP
型号：
KBP306GTB
仓库库存编号：
1655-1831-ND
别名：1655-1831
1655-1831-1
1655-1831-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
型号：
SI5504BDC-T1-GE3
仓库库存编号：
SI5504BDC-T1-GE3CT-ND
别名：SI5504BDC-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 57W（Tc） PowerPAK? 1212-8S（3.3x3.3）
型号：
SISS10DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SISS10DN-T1-GE3CT-ND
别名：SISS10DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Diodes Incorporated
MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 15A（Ta），80A（Tc） 2.2W（Ta）, 62.5W（Tc） PowerDI3333-8
型号：
DMT6007LFG-7
仓库库存编号：
DMT6007LFG-7DICT-ND
别名：DMT6007LFG-7DICT
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