产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） SOT-223
型号：
TSM2N60SCW RPG
仓库库存编号：
TSM2N60SCW RPGDKR-ND
别名：TSM2N60SCW RPGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 16V 4.66A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 16V 4.66A（Tc） 5W（Tc） 8-SO
型号：
PHK04P02T,518
仓库库存编号：
1727-2156-1-ND
别名：1727-2156-1
568-11953-1
568-11953-1-ND
568-12317-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7A 800mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
型号：
FDMB3900AN
仓库库存编号：
FDMB3900ANCT-ND
别名：FDMB3900ANCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM036N03PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM036N03PQ56 RLGTR-ND
别名：TSM036N03PQ56 RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM036N03PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM036N03PQ56 RLGCT-ND
别名：TSM036N03PQ56 RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 124A（Tc） 83W（Tc） 8-PDFN（5x6）
型号：
TSM036N03PQ56 RLG
仓库库存编号：
TSM036N03PQ56 RLGDKR-ND
别名：TSM036N03PQ56 RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
12V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 4.3A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD13385F5T
仓库库存编号：
296-45087-1-ND
别名：296-45087-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 30V 5.9A PICOSTAR
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 5.9A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD17585F5T
仓库库存编号：
296-45068-1-ND
别名：296-45068-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC
详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 40V 5.1A 1.3W Surface Mount 8-SO
型号：
DMP4047SSD-13
仓库库存编号：
DMP4047SSD-13DICT-ND
别名：DMP4047SSD-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta），52A（Tc） 760mW（Ta） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
型号：
NTMFS4C08NT1G
仓库库存编号：
NTMFS4C08NT1GOSCT-ND
别名：NTMFS4C08NT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
型号：
TSM4936DCS RLG
仓库库存编号：
TSM4936DCS RLGTR-ND
别名：TSM4936DCS RLGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
型号：
TSM4936DCS RLG
仓库库存编号：
TSM4936DCS RLGCT-ND
别名：TSM4936DCS RLGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, DUAL, N-CHANNEL, TRENCH,
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 5.9A (Ta) 3W Surface Mount 8-SOP
型号：
TSM4936DCS RLG
仓库库存编号：
TSM4936DCS RLGDKR-ND
别名：TSM4936DCS RLGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET P-CH 12V 3.3A U-WLB1010-4
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 3A（Ta），3.3A（Ta） 820mW（Ta） U-WLB1010-4
型号：
DMP1081UCB4-7
仓库库存编号：
DMP1081UCB4-7DICT-ND
别名：DMP1081UCB4-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Rohm Semiconductor
30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9A 3W Surface Mount 8-SOP
型号：
SH8KA4TB
仓库库存编号：
SH8KA4TBCT-ND
别名：SH8KA4TBCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT?-6
型号：
SI3457DV
仓库库存编号：
SI3457DVCT-ND
别名：SI3457DVCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
详细描述：通孔 N 沟道 600V 400mA（Tc） 3W（Tc） TO-92-3
型号：
STQ1HN60K3-AP
仓库库存编号：
497-13784-1-ND
别名：497-13784-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Rohm Semiconductor
PCH -30V -5.5A MIDDLE POWER MOSF
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Tc） 1.5W（Tc） TSMT8
型号：
RQ7E055ATTCR
仓库库存编号：
RQ7E055ATTCRCT-ND
别名：RQ7E055ATTCRCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 71A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 15A（Ta），71A（Tc） 2.5W（Ta），45W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC057N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC057N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC057N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC057N03MSGINCT
BSC057N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 59A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16A（Ta），59A（Tc） 3W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16410Q5A
仓库库存编号：
296-24254-1-ND
别名：296-24254-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A (Tc) 3.1W Surface Mount
型号：
SI5515CDC-T1-E3
仓库库存编号：
SI5515CDC-T1-E3CT-ND
别名：SI5515CDC-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Tc） 2.7W（Tc） 8-SO
型号：
STS11N3LLH5
仓库库存编号：
497-10310-1-ND
别名：497-10310-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 16A（Tc） 3.5W（Ta），27.7W（Tc） PowerPAK? 1212-8
型号：
SIS436DN-T1-GE3
仓库库存编号：
SIS436DN-T1-GE3CT-ND
别名：SIS436DN-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8.3A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7807VTRPBF
仓库库存编号：
IRF7807VPBFCT-ND
别名：*IRF7807VTRPBF
IRF7807VPBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
JFET N-CH 40V 0.625W TO92
详细描述：JFET N-Channel 40V 625mW Through Hole TO-92-3
型号：
PF5102
仓库库存编号：
PF5102FS-ND
别名：PF5102-ND
PF5102FS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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