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• Rohm Semiconductor
  NCH 30V 3A MIDDLE POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 3A（Ta） 1W（Tc） TSMT3
  
  型号：RQ5E030AJTCL
  仓库库存编号：RQ5E030AJTCLCT-ND
  别名：RQ5E030AJTCLCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3457CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3457CX6 RFGTR-ND
  别名：TSM3457CX6 RFGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3457CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3457CX6 RFGCT-ND
  别名：TSM3457CX6 RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3457CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3457CX6 RFGDKR-ND
  别名：TSM3457CX6 RFGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Tc） 2.1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM600P03CS RLG
  仓库库存编号：TSM600P03CS RLGTR-ND
  别名：TSM600P03CS RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Tc） 2.1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM600P03CS RLG
  仓库库存编号：TSM600P03CS RLGCT-ND
  别名：TSM600P03CS RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -30V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4.7A（Tc） 2.1W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM600P03CS RLG
  仓库库存编号：TSM600P03CS RLGDKR-ND
  别名：TSM600P03CS RLGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4.1A（Ta） 530mW（Ta），6.25W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：PMN48XP,115
  仓库库存编号：1727-6483-1-ND
  别名：1727-6483-1
  568-8412-1
  568-8412-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 2W（Ta），4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3417DV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3417DV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3417DV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  12V N-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12V 3.6A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
  
  型号：CSD13380F3T
  仓库库存编号：296-45086-1-ND
  别名：296-45086-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 8A 6-TSOP
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 8A（Tc） 3.6W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3424CDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3424CDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3424CDV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Surface Mount DBLS
  
  型号：DBLS102G RDG
  仓库库存编号：DBLS102G RDGTR-ND
  别名：DBLS102G RDGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Surface Mount DBLS
  
  型号：DBLS102G RDG
  仓库库存编号：DBLS102G RDGCT-ND
  别名：DBLS102G RDGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  BRIDGE RECTIFIER, STANDARD, 1A,
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase Standard 100V Surface Mount DBLS
  
  型号：DBLS102G RDG
  仓库库存编号：DBLS102G RDGDKR-ND
  别名：DBLS102G RDGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 16A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 16A（Tc） 26.5W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA96DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA96DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA96DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4A 2W Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
  
  型号：SSM6N61NU,LF
  仓库库存编号：SSM6N61NULFCT-ND
  别名：SSM6N61NULFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1N45CT A3G
  仓库库存编号：TSM1N45CT A3GTB-ND
  别名：TSM1N45CT A3GTB
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
  详细描述：通孔 N 沟道 450V 500mA（Tc） 2W（Tc） TO-92
  
  型号：TSM1N45CT A3G
  仓库库存编号：TSM1N45CT A3GCT-ND
  别名：TSM1N45CT A3GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 2.02W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
  
  型号：DMN3016LFDF-7
  仓库库存编号：DMN3016LFDF-7DICT-ND
  别名：DMN3016LFDF-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3A 515mW Surface Mount DFN2020-6
  
  型号：PMDPB70XPE,115
  仓库库存编号：1727-1330-1-ND
  别名：1727-1330-1
  568-10762-1
  568-10762-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 5.7A 900mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
  
  型号：DMP2100UFU-7
  仓库库存编号：DMP2100UFU-7DICT-ND
  别名：DMP2100UFU-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 60A（Tc） 52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA72DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA72DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA72DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A SOT23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 2.7A（Tc） 2.3W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
  
  型号：SI2303CDS-T1-E3
  仓库库存编号：SI2303CDS-T1-E3CT-ND
  别名：SI2303CDS-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGTR-ND
  别名：TSM160P02CS RLGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 11A（Tc） 2.5W（Tc） 8-SOP
  
  型号：TSM160P02CS RLG
  仓库库存编号：TSM160P02CS RLGCT-ND
  别名：TSM160P02CS RLGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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