产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 4A（Ta） 900mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2311CX RFG
仓库库存编号：
TSM2311CX RFGDKR-ND
别名：TSM2311CX RFGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 750mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2312CX RFG
仓库库存编号：
TSM2312CX RFGTR-ND
别名：TSM2312CX RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 750mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2312CX RFG
仓库库存编号：
TSM2312CX RFGCT-ND
别名：TSM2312CX RFGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 750mW（Ta） SOT-23
型号：
TSM2312CX RFG
仓库库存编号：
TSM2312CX RFGDKR-ND
别名：TSM2312CX RFGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2314CX RFG
仓库库存编号：
TSM2314CX RFGTR-ND
别名：TSM2314CX RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2314CX RFG
仓库库存编号：
TSM2314CX RFGCT-ND
别名：TSM2314CX RFGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 4.9A（Tc） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2314CX RFG
仓库库存编号：
TSM2314CX RFGDKR-ND
别名：TSM2314CX RFGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP 30V 500MA 6UDFN
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 30V 500mA 800mW Surface Mount 6-UDFN (1.6x1.6)
型号：
NSM3005NZTAG
仓库库存编号：
NSM3005NZTAGOSCT-ND
别名：NSM3005NZTAGOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 20V 22A 6-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 22A（Ta） 2.5W（Ta） 6-SON（2x2）
型号：
CSD15571Q2
仓库库存编号：
296-39992-1-ND
别名：296-39992-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 20V SC89-6
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 330mW（Ta） SC-89-6
型号：
SI1077X-T1-GE3
仓库库存编号：
SI1077X-T1-GE3CT-ND
别名：SI1077X-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 40V 0.2A SOT89-3
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 200mA 300MHz 1W Surface Mount SOT-89-3
型号：
DXT3904-13
仓库库存编号：
DXT3904-13DICT-ND
别名：DXT3904-13DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2308CX RFG
仓库库存编号：
TSM2308CX RFGTR-ND
别名：TSM2308CX RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2308CX RFG
仓库库存编号：
TSM2308CX RFGCT-ND
别名：TSM2308CX RFGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 3A（Ta） 1.25W（Ta） SOT-23
型号：
TSM2308CX RFG
仓库库存编号：
TSM2308CX RFGDKR-ND
别名：TSM2308CX RFGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-26
型号：
TSM260P02CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM260P02CX6 RFGTR-ND
别名：TSM260P02CX6 RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-26
型号：
TSM260P02CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM260P02CX6 RFGCT-ND
别名：TSM260P02CX6 RFGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
搜索
Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 6.5A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-26
型号：
TSM260P02CX6 RFG
仓库库存编号：
TSM260P02CX6 RFGDKR-ND
别名：TSM260P02CX6 RFGDKR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
型号：
TSM1NB60SCT A3G
仓库库存编号：
TSM1NB60SCT A3GTB-ND
别名：TSM1NB60SCT A3GTB
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Taiwan Semiconductor Corporation
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, PLANA
详细描述：通孔 N 沟道 600V 500mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92
型号：
TSM1NB60SCT A3G
仓库库存编号：
TSM1NB60SCT A3GCT-ND
别名：TSM1NB60SCT A3GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 30V 4A 6DFN
详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 4A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
型号：
PMPB47XP,115
仓库库存编号：
1727-1375-1-ND
别名：1727-1375-1
568-10824-1
568-10824-1-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Micro Commercial Co
MOSFET P-CH 12V 16A DFN202
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 16A（Ta） 2.5W（Ta）, 18W（Tc） DFN2020-6J
型号：
MCM1216-TP
仓库库存编号：
MCM1216-TPMSCT-ND
别名：MCM1216-TPMSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Texas Instruments
-20V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 1.7A（Ta） 500mW（Ta） 3-PICOSTAR
型号：
CSD25480F3T
仓库库存编号：
296-44126-1-ND
别名：296-44126-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 20V SOT23
详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 2.9A（Tj） 710mW（Ta） SOT-23-3（TO-236）
型号：
SI2302DDS-T1-GE3
仓库库存编号：
SI2302DDS-T1-GE3CT-ND
别名：SI2302DDS-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 14A（Ta） 1.25W（Ta） 6-UDFNB（2x2）
型号：
SSM6J511NU,LF
仓库库存编号：
SSM6J511NULFCT-ND
别名：SSM6J511NULFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFETBVDSS:25V 30VU-DFN2020-6
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 2.1W（Ta） U-DFN2020-6（F 类）
型号：
DMN3042LFDF-7
仓库库存编号：
DMN3042LFDF-7DICT-ND
别名：DMN3042LFDF-7DICT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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