产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 34A
详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 63W（Tc） TO-3PF
型号：
STFW42N60M2-EP
仓库库存编号：
497-16309-5-ND
别名：497-16309-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 80A 595W SUPER247
详细描述：IGBT NPT 1200V 80A 595W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRGPS40B120UPBF
仓库库存编号：
IRGPS40B120UPBF-ND
别名：*IRGPS40B120UPBF
SP001540742
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 85A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 600V 85A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSC71KPBF
仓库库存编号：
IRG4PSC71KPBF-ND
别名：*IRG4PSC71KPBF
SP001536004
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 53.5A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW65R070C6
仓库库存编号：
IPW65R070C6-ND
别名：IPW65R070C6FKSA1
SP000745034
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-247 长引线
型号：
STWA48N60M2
仓库库存编号：
497-16513-5-ND
别名：497-16513-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 70A 368W TO264
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 70A 368W Through Hole TO-264-3
型号：
FGL35N120FTDTU
仓库库存编号：
FGL35N120FTDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 480W TO247
详细描述：IGBT 600V 60A 480W Through Hole TO-247
型号：
FGH30N60LSDTU
仓库库存编号：
FGH30N60LSDTU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 80A 345W TO247
详细描述：IGBT NPT 600V 80A 345W Through Hole TO-247 [B]
型号：
APT40GT60BRG
仓库库存编号：
APT40GT60BRG-ND
别名：APT40GT60BRGMI
APT40GT60BRGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
型号：
STF12N120K5
仓库库存编号：
497-16011-5-ND
别名：497-16011-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 48A
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 360W（Tc） TO-247
型号：
STW56N65DM2
仓库库存编号：
497-16337-5-ND
别名：497-16337-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 48A
详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 360W（Tc） TO-247
型号：
STW58N65DM2AG
仓库库存编号：
497-16137-5-ND
别名：497-16137-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247-3
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 250W（Tc） TO-247 长引线
型号：
STWA12N120K5
仓库库存编号：
497-16029-5-ND
别名：497-16029-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 70A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 70A（Tc） 520W（Tc） TO-247AD
型号：
SIHW70N60EF-GE3
仓库库存编号：
SIHW70N60EF-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 47A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-3PN
型号：
FCA47N60F
仓库库存编号：
FCA47N60F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
IGBT 600V 110A 278W MAX247
详细描述：IGBT 600V 110A 278W Through Hole MAX247?
型号：
STGY50NC60WD
仓库库存编号：
497-7489-5-ND
别名：497-7489-5
STGY50NC60WD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 950 V, 0.110 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 450W（Tc） TO-247-3
型号：
STWA40N95K5
仓库库存编号：
497-16335-5-ND
别名：497-16335-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 99A 350W SUPER247
详细描述：IGBT 1200V 99A 350W Through Hole SUPER-247 (TO-274AA)
型号：
IRG4PSH71UDPBF
仓库库存编号：
IRG4PSH71UDPBF-ND
别名：*IRG4PSH71UDPBF
SP001547822
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 94A 625W TO247
详细描述：IGBT NPT 1200V 94A 625W Through Hole
型号：
APT50GT120B2RG
仓库库存编号：
APT50GT120B2RG-ND
别名：APT50GT120B2RGMI
APT50GT120B2RGMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 140A 480W SOT227
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 140A 480W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT100GT120JU2
仓库库存编号：
APT100GT120JU2-ND
别名：APT100GT120JU2MI
APT100GT120JU2MI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE 1200V 116A ISOTOP
详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 116A 543W Chassis Mount SOT-227
型号：
APT85GR120J
仓库库存编号：
APT85GR120J-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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ON Semiconductor
TRANS PNP 45V 0.5A SC-70
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 500mA 100MHz 460mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
型号：
BC807-25WT1G
仓库库存编号：
BC807-25WT1GOSCT-ND
别名：BC807-25WT1GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Micro Commercial Co
PNP PLASTIC-ENCAPSULATE BIPLOAR
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 45V 100mA 100MHz Surface Mount SOT-883
型号：
BC857BM-TP
仓库库存编号：
BC857BM-TPMSCT-ND
别名：BC857BM-TPMSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Micro Commercial Co
NPN PLASTIC-ENCAPSULATE BIPLOAR
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 100mA 100MHz Surface Mount SOT-883
型号：
BC847BM-TP
仓库库存编号：
BC847BM-TPMSCT-ND
别名：BC847BM-TPMSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, 50A/
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-23
型号：
MMBT2222A RFG
仓库库存编号：
MMBT2222A RFGTR-ND
别名：MMBT2222A RFGTR
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Taiwan Semiconductor Corporation
TRANSISTOR, NPN, 40V, 0.6A, 50A/
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 600mA 300MHz 300mW Surface Mount SOT-23
型号：
MMBT2222A RFG
仓库库存编号：
MMBT2222A RFGCT-ND
别名：MMBT2222A RFGCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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