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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125CP
  仓库库存编号：IPW60R125CP-ND
  别名：IPW60R125CPFKSA1
  IPW60R125CPX
  IPW60R125CPXK
  SP000088489
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 39W（Tc） TO-220 整包
  
  型号：SIHF28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHF28N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE GPP 35A 800V GBPCW
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
  
  型号：VS-GBPC3508W
  仓库库存编号：VS-GBPC3508WVS-ND
  别名：GBPC3508WIR
  GBPC3508WIR-ND
  GBPC3508WVS
  GBPC3508WVS-ND
  VS-GBPC3508WIR
  VS-GBPC3508WIR-ND
  VS-GBPC3508WVS
  VSGBPC3508W
  VSGBPC3508WIR-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 100A 223W TO247
  详细描述：IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB50N60FWG
  仓库库存编号：NGTB50N60FWGOS-ND
  别名：NGTB50N60FWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP33N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 38A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 38A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP65R099C6XKSA1
  仓库库存编号：IPP65R099C6XKSA1-ND
  别名：SP000895218
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 15A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW90R340C3
  仓库库存编号：IPW90R340C3-ND
  别名：IPW90R340C3FKSA1
  SP000411306
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 30A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 415W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30F50B
  仓库库存编号：APT30F50B-ND
  别名：APT30F50BMP
  APT30F50BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：SIHB33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHB33N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP20N90K5
  仓库库存编号：497-17087-ND
  别名：497-17087
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 24A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 128W（Tc） PG-TO247
  
  型号：IPW65R095C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW65R095C7XKSA1-ND
  别名：SP001080128
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG28N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW20N90K5
  仓库库存编号：497-17089-ND
  别名：497-17089
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N60E-GE3-ND
  别名：SIHG33N60E-GE3CT
  SIHG33N60E-GE3CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20N95K5
  仓库库存编号：497-12975-5-ND
  别名：497-12975-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 75A 521W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 75A 521W Through Hole TO-247
  
  型号：APT25GR120B
  仓库库存编号：APT25GR120B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 33A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 33A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG33N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG33N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF20N90K5
  仓库库存编号：497-17088-ND
  别名：497-17088
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 75A 370W TO247AC
  详细描述：IGBT NPT 600V 75A 370W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRGP50B60PDPBF
  仓库库存编号：IRGP50B60PDPBF-ND
  别名：*IRGP50B60PDPBF
  63-0006PBF
  63-0006PBF-ND
  SP001536552
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 300W（Tc） TO-247
  
  型号：STW50N65DM2AG
  仓库库存编号：497-16138-5-ND
  别名：497-16138-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 31A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 255W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099CP
  仓库库存编号：IPW60R099CP-ND
  别名：IPW60R099CPFKSA1
  IPW60R099CPXK
  IPW60R099CSX
  SP000067147
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 40A
  详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247
  
  型号：STW48N60DM2
  仓库库存编号：497-16360-5-ND
  别名：497-16360-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP22N60KPBF
  仓库库存编号：IRFP22N60KPBF-ND
  别名：*IRFP22N60KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 48A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 48A（Tc） 625W（Tc） TO-247
  
  型号：FDH50N50_F133
  仓库库存编号：FDH50N50_F133-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH50KDPBF
  仓库库存编号：IRG4PH50KDPBF-ND
  别名：*IRG4PH50KDPBF
  SP001536014
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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