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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-220
  
  型号：STP35N60DM2
  仓库库存编号：497-16359-5-ND
  别名：497-16359-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 40A 160W TO247AD
  详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC40UD-EPBF
  仓库库存编号：IRG4PC40UD-EPBF-ND
  别名：*IRG4PC40UD-EPBF
  IRG4PC40UDEPBF
  SP001544784
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 30A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 219W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R125C6
  仓库库存编号：IPW60R125C6-ND
  别名：IPW60R125C6FKSA1
  SP000641912
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 16A
  详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247
  
  型号：STW23N80K5
  仓库库存编号：497-16331-5-ND
  别名：497-16331-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 600V 27A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 27A（Tc） 357W（Tc） TO-247
  
  型号：AOK27S60L
  仓库库存编号：785-1534-5-ND
  别名：AOK27S60L-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
  
  型号：IPA60R099P6XKSA1
  仓库库存编号：IPA60R099P6XKSA1-ND
  别名：SP001114654
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 37.9A（Tc） 278W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R099P6XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099P6XKSA1-ND
  别名：SP001114650
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-220
  
  型号：STP27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16489-5-ND
  别名：497-16489-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 40W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF43N60DM2
  仓库库存编号：497-16344-5-ND
  别名：497-16344-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 26A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF33N60M2
  仓库库存编号：497-14217-5-ND
  别名：497-14217-5
  STF33N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16128-5-ND
  别名：497-16128-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-247
  
  型号：STW37N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16103-5-ND
  别名：497-16103-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 28A
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 210W（Tc） TO-247
  
  型号：STW35N60DM2
  仓库库存编号：497-16356-5-ND
  别名：497-16356-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 55A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50WPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50WPBF-ND
  别名：*IRG4PC50WPBF
  92-0254PBF
  92-0254PBF-ND
  SP001537164
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 170W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW27N60M2-EP
  仓库库存编号：497-16490-5-ND
  别名：497-16490-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 70A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PC50FPBF
  仓库库存编号：IRG4PC50FPBF-ND
  别名：*IRG4PC50FPBF
  SP001537174
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 21A
  详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 170W（Tc） TO-247
  
  型号：STW28N60DM2
  仓库库存编号：497-16350-5-ND
  别名：497-16350-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 22A（Tc） 110W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPP60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298000
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW45N60DM2AG
  仓库库存编号：497-16132-5-ND
  别名：497-16132-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 40A 300W TO247AD
  详细描述：IGBT NPT 1200V 40A 300W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP20B120U-EP
  仓库库存编号：IRGP20B120U-EP-ND
  别名：*IRGP20B120U-EP
  IRGP20B120UEP
  SP001540820
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Tc） 250W（Tc） D2PAK
  
  型号：SIHB24N65E-E3
  仓库库存编号：SIHB24N65E-E3-ND
  别名：SIHB24N65EE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW43N60DM2
  仓库库存编号：497-16343-5-ND
  别名：497-16343-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 900V 51A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PF50WPBF
  仓库库存编号：IRG4PF50WPBF-ND
  别名：*IRG4PF50WPBF
  63-6017PBF
  63-6017PBF-ND
  SP001533582
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 28A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SIHP28N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHP28N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 110W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R099C7XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R099C7XKSA1-ND
  别名：SP001298004
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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