产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP21N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHP21N60EF-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R125P6XKSA1
仓库库存编号:
IPP60R125P6XKSA1-ND
别名:SP001114648
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 25A GBPC-T/W
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBPC-W
型号:
GBPC2510W
仓库库存编号:
1242-1293-ND
别名:1242-1293
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 FP
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHA21N60EF-E3
仓库库存编号:
SIHA21N60EF-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 20A
详细描述:通孔 N 沟道 20A(Tc) 30W(Tc) TO-220FP
型号:
STFU28N65M2
仓库库存编号:
497-16307-5-ND
别名:497-16307-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 16A
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STF23N80K5
仓库库存编号:
497-16305-5-ND
别名:497-16305-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 15A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 15A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP244PBF
仓库库存编号:
IRFP244PBF-ND
别名:*IRFP244PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 16A
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 190W(Tc) TO-220-3
型号:
STP23N80K5
仓库库存编号:
497-16319-5-ND
别名:497-16319-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) D2PAK
型号:
SIHB22N60E-E3
仓库库存编号:
SIHB22N60E-E3-ND
别名:SIHB22N60EE3
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 70A 250W TO247
详细描述:IGBT 600V 70A 250W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW45HF60WDI
仓库库存编号:
497-10402-5-ND
别名:497-10402-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 35W(Tc) TO-220FP
型号:
STFU13N80K5
仓库库存编号:
497-17144-ND
别名:497-17144
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 560V 21A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 208W(Tc) PG-TO247-3
型号:
SPW21N50C3
仓库库存编号:
SPW21N50C3IN-ND
别名:SP000014464
SPW21N50C3FKSA1
SPW21N50C3IN
SPW21N50C3X
SPW21N50C3XK
SPW21N50C3XTIN
SPW21N50C3XTIN-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 11A 60W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 11A 60W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH20KDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH20KDPBF-ND
别名:*IRG4PH20KDPBF
92-0151PBF
92-0151PBF-ND
SP001547870
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 34W(Tc) PG-TO220-FP
型号:
IPA50R140CP
仓库库存编号:
IPA50R140CP-ND
别名:IPA50R140CPXKSA1
SP000234988
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 200W TO-247
详细描述:IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号:
STGW35HF60WDI
仓库库存编号:
497-10074-5-ND
别名:497-10074-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 6.2A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFBC40LCPBF
仓库库存编号:
IRFBC40LCPBF-ND
别名:*IRFBC40LCPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 1700 V, 7 OHM TYP., 2.
详细描述:通孔 N 沟道 2.6A(Tc) 160mW TO-247-3
型号:
STW3N170
仓库库存编号:
497-16332-5-ND
别名:497-16332-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 950 V, 0.41 OHM TYP.,
详细描述:通孔 N 沟道 7.5A(Ta) 30W I2PAKFP(TO-281)
型号:
STFI15N95K5
仓库库存编号:
497-17092-ND
别名:497-17092
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH40UPBF
仓库库存编号:
IRG4PH40UPBF-ND
别名:*IRG4PH40UPBF
SP001549516
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 21A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG21N60EF-GE3
仓库库存编号:
SIHG21N60EF-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 22A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 22A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP22N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP22N65E-GE3-ND
别名:SIHP22N65E-GE3CT
SIHP22N65E-GE3CT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 219W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R125C6
仓库库存编号:
IPP60R125C6-ND
别名:IPP60R125C6XKSA1
SP000685844
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 101W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP65R125C7XKSA1
仓库库存编号:
IPP65R125C7XKSA1-ND
别名:SP001080132
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 20.7A(Tc) 208W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP20N65C3XKSA1
仓库库存编号:
SPP20N65C3XKSA1-ND
别名:SP000681064
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 28A
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 40W(Tc) TO-220FP
型号:
STF35N60DM2
仓库库存编号:
497-16358-5-ND
别名:497-16358-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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