产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 28A 100W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC30KDPBF
仓库库存编号：
IRG4PC30KDPBF-ND
别名：*IRG4PC30KDPBF
SP001549398
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR024
仓库库存编号：
IRLR024-ND
别名：*IRLR024
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
IGBT 600V 80A 278W TO247
详细描述：IGBT 600V 80A 278W Through Hole TO-247
型号：
AOK40B60D1
仓库库存编号：
785-1623-5-ND
别名：785-1623-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 1.9A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIBF30GPBF
仓库库存编号：
IRFIBF30GPBF-ND
别名：*IRFIBF30GPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20.2A（Tc） 208W（Tc） TO-220
型号：
FCP190N60
仓库库存编号：
FCP190N60-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 220W TO247AC
详细描述：IGBT NPT 600V 40A 220W Through Hole TO-247AC
型号：
IRGP20B60PDPBF
仓库库存编号：
IRGP20B60PDPBF-ND
别名：*IRGP20B60PDPBF
SP001548130
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2502W
仓库库存编号：
1242-1289-ND
别名：1242-1289
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2506T
仓库库存编号：
1242-1269-ND
别名：1242-1269
GBPC2506T/WGN
GBPC2506T/WGN-ND
GBPC2506TGN-ND
GBPC2506TW
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2504W
仓库库存编号：
1242-1290-ND
别名：1242-1290
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 31A 208W TO220AB
详细描述：IGBT NPT 600V 31A 208W Through Hole TO-220AB
型号：
IRGB15B60KDPBF
仓库库存编号：
IRGB15B60KDPBF-ND
别名：*IRGB15B60KDPBF
SP001540650
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3508W
仓库库存编号：
1242-1295-ND
别名：1242-1295
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 25A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 278W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG25N40D-E3
仓库库存编号：
SIHG25N40D-E3-ND
别名：SIHG25N40DE3
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 49A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40FPBF
仓库库存编号：
IRG4PC40FPBF-ND
别名：*IRG4PC40FPBF
SP001545694
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
型号：
STFU15NM65N
仓库库存编号：
497-16109-5-ND
别名：497-16109-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2508T
仓库库存编号：
1242-1270-ND
别名：1242-1270
GBPC2508T/WGN
GBPC2508T/WGN-ND
GBPC2508TGN-ND
GBPC2508TW
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 800V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2508W
仓库库存编号：
1242-1292-ND
别名：1242-1292
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 15A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 156W（Tc） PG-TO247-3
型号：
SPW15N60C3
仓库库存编号：
SPW15N60C3IN-ND
别名：SP000014530
SPW15N60C3-ND
SPW15N60C3FKSA1
SPW15N60C3IN
SPW15N60C3X
SPW15N60C3XK
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 35W（Tc） TO-220 整包
型号：
SIHA22N60E-E3
仓库库存编号：
SIHA22N60E-E3-ND
别名：SIHA22N60E-E3CT
SIHA22N60E-E3CT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STFU15N80K5
仓库库存编号：
497-16108-5-ND
别名：497-16108-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 200W TO-247
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW35HF60WD
仓库库存编号：
497-10073-5-ND
别名：497-10073-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
N-CHANNEL 600 V, 0.105 OHM TYP.,
详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
型号：
STF33N60DM2
仓库库存编号：
497-16355-5-ND
别名：497-16355-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247
详细描述：通孔 N 沟道 23.8A（Tc） 176W（Tc） PG-TO247-3
型号：
IPW60R160C6
仓库库存编号：
IPW60R160C6-ND
别名：IPW60R160C6FKSA1
SP000652798
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 15A 100V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 15A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1501-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1501-E4/51GI-ND
别名：GBPC1501-E4/51-ND
GBPC1501E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 800V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2508W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2508W-E4/51GI-ND
别名：GBPC2508W-E4/51-ND
GBPC2508W-E4/51GI
GBPC2508WE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 15A 1000V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1510-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1510-E4/51-ND
别名：GBPC1510E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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