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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI7LN80K5
  仓库库存编号：497-16494-5-ND
  别名：497-16494-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 6.8A 25W TO220FP
  详细描述：IGBT 600V 6.8A 25W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRG4IBC10UDPBF
  仓库库存编号：IRG4IBC10UDPBF-ND
  别名：*IRG4IBC10UDPBF
  63-7000PBF
  63-7000PBF-ND
  SP001545754
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3.7A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
  
  型号：IRFI730GPBF
  仓库库存编号：IRFI730GPBF-ND
  别名：*IRFI730GPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 19A 60W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 19A 60W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC20SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC20SPBF-ND
  别名：*IRG4BC20SPBF
  SP001532494
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 11A 60W D2PAK
  详细描述：IGBT 1200V 11A 60W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRG4BH20K-SPBF
  仓库库存编号：IRG4BH20K-SPBF-ND
  别名：*IRG4BH20K-SPBF
  IRG4BH20KSPBF
  SP001536124
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 16A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 190W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB23N80K5
  仓库库存编号：497-16298-1-ND
  别名：497-16298-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 150W（Tc） PowerFlat?（8x8） HV
  
  型号：STL33N65M2
  仓库库存编号：497-16939-1-ND
  别名：497-16939-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N CH 600V 15A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 15A（Tc） 36W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FCPF260N60E
  仓库库存编号：FCPF260N60E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 37A（Ta） 2W（Ta），178W（Tj） D2PAK
  
  型号：NTB35N15T4G
  仓库库存编号：NTB35N15T4GOSCT-ND
  别名：NTB35N15T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 320MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 320mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFDC20PBF
  仓库库存编号：IRFDC20PBF-ND
  别名：*IRFDC20PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 34A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 34A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30SPBF
  仓库库存编号：IRG4BC30SPBF-ND
  别名：*IRG4BC30SPBF
  SP001535662
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 25W（Tc）
  
  型号：STFI9N80K5
  仓库库存编号：497-16495-5-ND
  别名：497-16495-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 900V 15A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB90R340C3ATMA1
  仓库库存编号：IPB90R340C3ATMA1CT-ND
  别名：IPB90R340C3ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10LN80K5
  仓库库存编号：497-16499-5-ND
  别名：497-16499-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 31A 208W D2PAK
  详细描述：IGBT NPT 600V 31A 208W Surface Mount D2PAK
  
  型号：IRGS15B60KDTRRP
  仓库库存编号：IRGS15B60KDTRRPCT-ND
  别名：IRGS15B60KDTRRPCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 11A（Tc） 96W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R299CPXKSA1
  仓库库存编号：IPP60R299CPXKSA1-ND
  别名：IPP60R299CP
  IPP60R299CPAKSA1
  IPP60R299CPIN
  IPP60R299CPIN-ND
  IPP60R299CPX
  IPP60R299CPXK
  IPP60R299CPXTIN
  IPP60R299CPXTIN-ND
  SP000084280
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 800V 35A PB
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole isoCINK+? PB
  
  型号：PB3508-E3/45
  仓库库存编号：PB3508-E3/45GIGI-ND
  别名：PB3508-E3/45GI
  PB3508-E3/45GI-ND
  PB3508-E3/45GIGI
  PB3508E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 12A 89W TO220AB
  详细描述：IGBT NPT 1200V 12A 89W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRGB5B120KDPBF
  仓库库存编号：IRGB5B120KDPBF-ND
  别名：*IRGB5B120KDPBF
  SP001549620
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 28A 100W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 28A 100W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC30KDPBF
  仓库库存编号：IRG4BC30KDPBF-ND
  别名：*IRG4BC30KDPBF
  SP001532644
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 17.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 34W（Tc） PG-TO220 整包
  
  型号：IPA65R190CFD
  仓库库存编号：IPA65R190CFD-ND
  别名：IPA65R190CFDXKSA1
  SP000905382
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 20A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 38.5W（Tc） TO-220F
  
  型号：FDPF20N50T
  仓库库存编号：FDPF20N50T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3
  详细描述：通孔 N 沟道 TO-247
  
  型号：STW6N90K5
  仓库库存编号：497-17077-ND
  别名：497-17077
  
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  IGBT 600V 60A 200W TO247
  详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
  
  型号：STGW35HF60W
  仓库库存编号：497-10708-5-ND
  别名：497-10708-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 10A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 156W（Tc） TO-247-3
  
  型号：STW10NK60Z
  仓库库存编号：497-3253-5-ND
  别名：497-3253-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 600V 49A 160W TO220AB
  详细描述：IGBT 600V 49A 160W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IRG4BC40FPBF
  仓库库存编号：IRG4BC40FPBF-ND
  别名：*IRG4BC40FPBF
  SP001533672
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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