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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU214PBF
  仓库库存编号：IRFU214PBF-ND
  别名：*IRFU214PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 2A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF2HNK60Z
  仓库库存编号：497-12575-5-ND
  别名：497-12575-5
  STF2HNK60Z-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V WLCSP 1X1
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.7A（Ta） 1.7W（Ta） 4-WLCSP（1x1）
  
  型号：FDZ375P
  仓库库存编号：FDZ375PCT-ND
  别名：FDZ375PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 3.3A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.3A（Tc） 3.1W（Ta），50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF720SPBF
  仓库库存编号：IRF720SPBF-ND
  别名：*IRF720SPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Tc） 60W（Tc） TO-220
  
  型号：STP5N80K5
  仓库库存编号：497-16933-ND
  别名：497-16933
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU224PBF
  仓库库存编号：IRFU224PBF-ND
  别名：*IRFU224PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：SPU04N60C3
  仓库库存编号：SPU04N60C3IN-ND
  别名：SP000095850
  SPU04N60C3-ND
  SPU04N60C3BKMA1
  SPU04N60C3IN
  SPU04N60C3X
  SPU04N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 4A（Ta） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF5N80K5
  仓库库存编号：497-16962-ND
  别名：497-16962
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD310PBF
  仓库库存编号：IRFD310PBF-ND
  别名：*IRFD310PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 85W（Tc） I-Pak
  
  型号：STU12N60M2
  仓库库存编号：497-16024-5-ND
  别名：497-16024-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP.,
  详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF10N60DM2
  仓库库存编号：497-16959-ND
  别名：497-16959
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 7.5A（Tc） 85W（Tc） TO-220
  
  型号：STP10N60M2
  仓库库存编号：497-13970-5-ND
  别名：497-13970-5
  STP10N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.5A（Tc） 50W（Tc） D2PAK
  
  型号：IRF820ASPBF
  仓库库存编号：IRF820ASPBF-ND
  别名：*IRF820ASPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP
  详细描述：通孔 N 沟道 9A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）
  
  型号：STFI12N60M2
  仓库库存编号：497-16015-5-ND
  别名：497-16015-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：SIHU6N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHU6N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECT 20A 600V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 20A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ2006-BP
  仓库库存编号：GBJ2006-BPMS-ND
  别名：GBJ2006-BPMS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：STU7LN80K5
  仓库库存编号：497-16498-5-ND
  别名：497-16498-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 16A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Tc） 139W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：IPB60R199CP
  仓库库存编号：IPB60R199CPCT-ND
  别名：IPB60R199CPCT
  
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• STMicroelectronics
  N-CHANNEL 600V M2 POWER MOSFET
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 169W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB26N60M2
  仓库库存编号：497-17546-1-ND
  别名：497-17546-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 5A（Tc） 90W（Tc） TO-220AB
  
  型号：STP5NK60Z
  仓库库存编号：497-3196-5-ND
  别名：497-3196-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 370mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD420PBF
  仓库库存编号：IRFD420PBF-ND
  别名：*IRFD420PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Tc） 208W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB21N50C3
  仓库库存编号：SPB21N50C3INCT-ND
  别名：SPB21N50C3INCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 6.9A（Tc） 104W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：IPP90R800C3
  仓库库存编号：IPP90R800C3-ND
  别名：IPP90R800C3XKSA1
  SP000413748
  SP000683102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE808DF-T1-E3
  仓库库存编号：SIE808DF-T1-E3CT-ND
  别名：SIE808DF-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 7A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 78W（Tc） D-Pak
  
  型号：SIHD7N60E-GE3
  仓库库存编号：SIHD7N60E-GE3-ND
  别名：SIHD7N60EGE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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