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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC014N03MS G
  仓库库存编号：BSC014N03MS GCT-ND
  别名：BSC014N03MS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7108DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7108DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7108DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A 8-PQFN
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 30V 13A, 23A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3686S
  仓库库存编号：FDMS3686SCT-ND
  别名：FDMS3686SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 4.5A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Tc） 50W（Tc） PG-TO263-3-2
  
  型号：SPB04N60C3
  仓库库存编号：SPB04N60C3INCT-ND
  别名：SPB04N60C3INCT
  SPB04N60C3XTINCT
  SPB04N60C3XTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 6A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R660CFD
  仓库库存编号：IPB65R660CFDCT-ND
  别名：IPB65R660CFDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5A（Tc） 85W（Tc） DPAK
  
  型号：STD7LN80K5
  仓库库存编号：497-16491-1-ND
  别名：497-16491-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），139W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC017N04NS G
  仓库库存编号：BSC017N04NS GCT-ND
  别名：BSC017N04NS GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SI7858ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7858ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7858ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 20V 9.4A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 9.4A 900mW Surface Mount 8-SO
  
  型号：FDS6898AZ_F085
  仓库库存编号：FDS6898AZ_F085CT-ND
  别名：FDS6898AZ_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 100A PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 156W（Tc） 8-PQFN（5x6）
  
  型号：IRFH7084TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7084TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7084TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 13A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 13A（Tc） 66W（Tc） IPAK（TO-251）
  
  型号：IRFU5410PBF
  仓库库存编号：IRFU5410PBF-ND
  别名：*IRFU5410PBF
  SP001557796
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 7.1A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 7.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF06N60ZG
  仓库库存编号：NDF06N60ZGOS-ND
  别名：NDF06N60ZG-ND
  NDF06N60ZGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF3LN80K5
  仓库库存编号：497-17291-ND
  别名：497-17291
  STF3LN80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP60R950C6
  仓库库存编号：IPP60R950C6-ND
  别名：IPP60R950C6XKSA1
  SP000629364
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.04W Surface Mount 8-MSOP
  
  型号：ZXMD63P03XTA
  仓库库存编号：ZXMD63P03XCT-ND
  别名：ZXMD63P03X
  ZXMD63P03XCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD1NK80Z-1
  仓库库存编号：497-16198-5-ND
  别名：497-16198-5
  STD1NK80Z-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1PH 4A 1000V GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 3A Through Hole GBL
  
  型号：GBL10-E3/45
  仓库库存编号：GBL10-E3/45GI-ND
  别名：GBL10-E3/45-ND
  GBL10E345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.7A（Tc） 3.1W（Ta），5.9W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4472DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4472DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4472DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.6A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU210PBF
  仓库库存编号：IRFU210PBF-ND
  别名：*IRFU210PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microchip Technology
  MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3
  详细描述：通孔 P 沟道 86mA（Tj） 740mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：TP2535N3-G
  仓库库存编号：TP2535N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 800V 3A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 20W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF4LN80K5
  仓库库存编号：497-17292-ND
  别名：497-17292
  STF4LN80K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3.2A（Tc） 29.7W（Tc） PG-TO220-FP
  
  型号：SPA03N60C3
  仓库库存编号：SPA03N60C3IN-ND
  别名：SP000216296
  SPA03N60C3IN
  SPA03N60C3XK
  SPA03N60C3XKSA1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• GeneSiC Semiconductor
  DIODE BRIDGE 200V 4 A- GBL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole GBL
  
  型号：GBL02
  仓库库存编号：1242-1267-ND
  别名：1242-1267
  GBL02GN
  GBL02GN-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFUC20PBF
  仓库库存编号：IRFUC20PBF-ND
  别名：*IRFUC20PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 400V 3A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 45W（Tc） I-Pak
  
  型号：STD5NK40Z-1
  仓库库存编号：497-16199-5-ND
  别名：497-16199-5
  STD5NK40Z-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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