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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.2A（Ta） 1.56W（Ta） P-DSO-8
  
  型号：BSO130P03S H
  仓库库存编号：BSO130P03S HCT-ND
  别名：BSO130P03S HCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 24A PQFN56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 24A（Ta），104A（Tc） 3.4W（Ta） PQFN（5x6）单芯片焊盘
  
  型号：IRFH7932TRPBF
  仓库库存编号：IRFH7932TRPBFCT-ND
  别名：IRFH7932TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.6A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRFR9120TRLPBF
  仓库库存编号：IRFR9120TRLPBFCT-ND
  别名：IRFR9120TRLPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 15A POWER33
  详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Tc） 2W（Ta），41W（Tc） 8-MLP（3.3x3.3）
  
  型号：FDMC8854
  仓库库存编号：FDMC8854CT-ND
  别名：FDMC8854CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5W（Ta），48W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR788DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR788DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR788DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 500V 2.4A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 22W（Tc） PG-TO251-3
  
  型号：IPU50R2K0CEBKMA1
  仓库库存编号：IPU50R2K0CEBKMA1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 4.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.4A（Tc） 37W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R950C6
  仓库库存编号：IPB60R950C6CT-ND
  别名：IPB60R950C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN 32V 4A TO-225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD435G
  仓库库存编号：BD435GOS-ND
  别名：BD435G-ND
  BD435GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 600V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF06SA-E3/45
  仓库库存编号：DF06SA-E3/45GI-ND
  别名：DF06SA-E3/45-ND
  DF06SAE345
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7452TRPBF
  仓库库存编号：IRF7452PBFCT-ND
  别名：*IRF7452TRPBF
  IRF7452PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 16A 6-POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ790DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ790DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ790DT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 45V 4A TO225
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 45V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD675AG
  仓库库存编号：BD675AGOS-ND
  别名：BD675AG-ND
  BD675AGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 30A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），89W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7560S
  仓库库存编号：FDMS7560SFSCT-ND
  别名：FDMS7560SFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：BD677AG
  仓库库存编号：BD677AGOS-ND
  别名：BD677AG-ND
  BD677AGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 5.2W（Ta），69W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR164DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR164DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR164DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 80V 4A TO225AA
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：MJE702G
  仓库库存编号：MJE702GOS-ND
  别名：MJE702GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS PNP DARL 80V 4A TO-225
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
  
  型号：MJE703G
  仓库库存编号：MJE703GOS-ND
  别名：MJE703G-ND
  MJE703GOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 25V 3A SOT23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 3A 725mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：ZXTN649FTA
  仓库库存编号：ZXTN649FTACT-ND
  别名：ZXTN649FTACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 20V 16A, 35A 27W, 48W Surface Mount 6-PowerPair?
  
  型号：SIZ710DT-T1-GE3
  仓库库存编号：SIZ710DT-T1-GE3CT-ND
  别名：SIZ710DT-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 12A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 12A（Ta） 1.6W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO201SP H
  仓库库存编号：BSO201SP HCT-ND
  别名：BSO201SP HCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.6A（Tc） 83W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R380P6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R380P6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R380P6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  DIODE BRIDGE 2A 600V KBPR
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1.5A Through Hole KBPR
  
  型号：KBP06M-BP
  仓库库存编号：KBP06M-BPMS-ND
  别名：KBP06M-BPMS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 22A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8-FL
  
  型号：BSZ018NE2LSI
  仓库库存编号：BSZ018NE2LSICT-ND
  别名：BSZ018NE2LSICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9.2A（Tc） 74W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD60R450E6ATMA1
  仓库库存编号：IPD60R450E6ATMA1CT-ND
  别名：IPD60R450E6ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 7.3A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Tc） 63W（Tc） PG-TO263-2
  
  型号：IPB60R600C6
  仓库库存编号：IPB60R600C6CT-ND
  别名：IPB60R600C6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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