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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），39A（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC120N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC120N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC120N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC120N03LSGINCT
  BSC120N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 400V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF04SA-E3/77
  仓库库存编号：DF04SA-E3/77GICT-ND
  别名：DF04SA-E3/77GICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 40V 3A POWERDI5
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 100MHz 3.2W Surface Mount PowerDI? 5
  
  型号：DXT790AP5-13
  仓库库存编号：DXT790AP5-13CT-ND
  别名：DXT790AP5-13CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 15V 4A SOT23-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 4A 120MHz 1.1W Surface Mount SOT-23-6
  
  型号：ZXT10N15DE6TA
  仓库库存编号：ZXT10N15DE6TACT-ND
  别名：ZXT10N15DE6TACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 50V 3A SOT23-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 165MHz 1.1W Surface Mount SOT-23-6
  
  型号：ZXT10N50DE6TA
  仓库库存编号：ZXT10N50DE6TACT-ND
  别名：ZXT10N50DE6TACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 12V 3A SOT23-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 3A 110MHz 1.1W Surface Mount SOT-23-6
  
  型号：ZXT10P12DE6TA
  仓库库存编号：ZXT10P12DE6TACT-ND
  别名：ZXT10P12DE6TACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8707GTRPBF
  仓库库存编号：IRF8707GTRPBFCT-ND
  别名：IRF8707GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.8A（Ta） 1W（Ta） SOT-223
  
  型号：IRFL024NTRPBF
  仓库库存编号：IRFL024NTRPBFCT-ND
  别名：IRFL024NTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 7.7A MICRO FOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.7A（Ta） 660mW（Ta） Power Micro Foot?
  
  型号：SI8851EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8851EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8851EDB-T2-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIRA16DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIRA16DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIRA16DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 12V 6A SOT23-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 12V 6A 260MHz 1.25W Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：ZXTN25012EFHTA
  仓库库存编号：ZXTN25012EFHTACT-ND
  别名：ZXTN25012EFHCT
  ZXTN25012EFHCT-ND
  ZXTN25012EFHTACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.3A（Ta），37A（Tc） 810mW（Ta），20.8W（Tc） 8-WDFN（3.3x3.3）
  
  型号：NTTFS4928NTAG
  仓库库存编号：NTTFS4928NTAGOSCT-ND
  别名：NTTFS4928NTAGOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 12A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC090N03MSGATMA1
  仓库库存编号：BSC090N03MSGATMA1CT-ND
  别名：BSC090N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC090N03MSGINCT
  BSC090N03MSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 13A（Ta），48A（Tc） 2.5W（Ta），32W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC090N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC090N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC090N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC090N03LSGINCT
  BSC090N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 18A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.3W（Ta），14.7W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR472ADP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR472ADP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR472ADP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 100V 3A TO252-3L
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 15W Surface Mount TO-252
  
  型号：MJD32CQ-13
  仓库库存编号：MJD32CQ-13DICT-ND
  别名：MJD32CQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 3.8A 6-WLCSP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.9W（Ta） 6-WLCSP
  
  型号：FDZ197PZ
  仓库库存编号：FDZ197PZCT-ND
  别名：FDZ197PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 20V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7504TRPBF
  仓库库存编号：IRF7504TRPBFCT-ND
  别名：IRF7504TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N CH 30V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Tc） 3.1W（Ta） 8-SOIC
  
  型号：AO4494
  仓库库存编号：785-1291-1-ND
  别名：785-1291-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1.5A 400V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 1.5A Surface Mount DFS
  
  型号：DF1504S-E3/77
  仓库库存编号：DF1504S-E3/77GICT-ND
  别名：DF1504S-E3/77GICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1467DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1467DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1467DH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 20V 3.5A SOT23-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 20V 3.5A 110MHz 1.1W Surface Mount SOT-23-6
  
  型号：ZX5T2E6TA
  仓库库存编号：ZX5T2E6CT-ND
  别名：ZX5T2E6CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 1.7A 1.25W Surface Mount Micro8?
  
  型号：IRF7506TRPBF
  仓库库存编号：IRF7506TRPBFCT-ND
  别名：IRF7506TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6-MLP 2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11A（Ta） 2.4W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDMA7670
  仓库库存编号：FDMA7670CT-ND
  别名：FDMA7670CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 2.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.4A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN10A11KTC
  仓库库存编号：ZXMN10A11KTCCT-ND
  别名：ZXMN10A11KTCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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