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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
  详细描述：通孔 N 沟道 95A（Tc） 833W（Tc） T-MAX? [B2]
  
  型号：APT94N65B2C6
  仓库库存编号：APT94N65B2C6-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1700V 80A 360W TO268
  详细描述：IGBT 1700V 80A 360W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXBT42N170
  仓库库存编号：IXBT42N170-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 240A 830W TO264
  详细描述：IGBT PT 1200V 240A 830W Through Hole TO-264 (IXGK)
  
  型号：IXGK120N120A3
  仓库库存编号：IXGK120N120A3-ND
  别名：622019
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 60A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 60A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXTX60N50L2
  仓库库存编号：IXTX60N50L2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
  详细描述：通孔 N 沟道 80A（Tc） 960W（Tc） PLUS264?
  
  型号：IXFB80N50Q2
  仓库库存编号：IXFB80N50Q2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 128A 543W SOT227
  详细描述：IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT75GP120J
  仓库库存编号：APT75GP120J-ND
  别名：APT75GP120JMI
  APT75GP120JMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 22A SOT-227
  详细描述：底座安装 N 沟道 22A（Tc） 700W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN22N100L
  仓库库存编号：IXTN22N100L-ND
  别名：611085
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 123A 570W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT100GT120JRDQ4
  仓库库存编号：APT100GT120JRDQ4-ND
  别名：APT100GT120JRDQ4MI
  APT100GT120JRDQ4MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 58A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 58A（Tc） 730W（Tc） TO-264 [L]
  
  型号：APL502LG
  仓库库存编号：APL502LG-ND
  别名：APL502LGMI
  APL502LGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V 75A 250W TO247
  详细描述：IGBT PT 600V 75A 250W Through Hole TO-247AD (IXGH)
  
  型号：IXGH36N60B3C1
  仓库库存编号：IXGH36N60B3C1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 149A 625W SOT227
  详细描述：IGBT Module NPT Single 1200V 149A 625W Chassis Mount ISOTOP?
  
  型号：APT60GF120JRDQ3
  仓库库存编号：APT60GF120JRDQ3-ND
  别名：APT60GF120JRDQ3MI
  APT60GF120JRDQ3MI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 20V 0.33A X2DFN-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 330mA（Ta） 360mW（Ta） X2-DFN0806-3
  
  型号：DMP21D2UFA-7B
  仓库库存编号：DMP21D2UFA-7BDICT-ND
  别名：DMP21D2UFA-7BDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT963
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 45V 100mA 175MHz, 340MHz 250mW Surface Mount SOT-963
  
  型号：DST847BPDP6-7
  仓库库存编号：DST847BPDP6-7DICT-ND
  别名：DST847BPDP6-7DICT
  DST847BPDP6DICT
  DST847BPDP6DICT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  DIODE SCHOTTKY DUAL 70V SOT-363
  详细描述：RF Diode Schottky - 2 Independent 70V 380mW SC-88/SC70-6/SOT-363
  
  型号：MBD770DWT1G
  仓库库存编号：MBD770DWT1GOSCT-ND
  别名：MBD770DWT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 450V 0.8A TO92
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 800mA 800mW Through Hole TO-92
  
  型号：APT27HZTR-G1
  仓库库存编号：APT27HZTR-G1DICT-ND
  别名：APT27HZTR-G1DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 20V 2A SOT-23
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 2A 100MHz 600mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：DSS4320T-7
  仓库库存编号：DSS4320TDICT-ND
  别名：DSS4320TDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 40V 1A SOT-563
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 1A 150MHz 600mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DSS4140V-7
  仓库库存编号：DSS4140VDICT-ND
  别名：DSS4140VDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  DIODE VHF VAR CAP 30V SOD523
  详细描述：Varactor Single 30V Surface Mount SOD-523
  
  型号：BB181,115
  仓库库存编号：568-1948-1-ND
  别名：568-1948-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT963
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 100mA 60MHz 300mW Surface Mount SOT-963
  
  型号：DN0150ADJ-7
  仓库库存编号：DN0150ADJ-7DICT-ND
  别名：DN0150ADJ-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS NPN 45V 0.5A SSOT-6
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 45V 500mA 300MHz 700mW Surface Mount SuperSOT?-6
  
  型号：FMB100
  仓库库存编号：FMB100CT-ND
  别名：FMB100CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 60V 1A SOT-563
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 270MHz 300mW Surface Mount SOT-563
  
  型号：DNLS160V-7
  仓库库存编号：DNLS160VDICT-ND
  别名：DNLS160VDICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 60V 1A SOT23-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 150MHz 350mW Surface Mount SOT-23-3
  
  型号：ZXTN2038FTA
  仓库库存编号：ZXTN2038FCT-ND
  别名：ZXTN2038FCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• NXP USA Inc.
  DIODE VAR CAP 6V SOD-523
  详细描述：Varactor Single 6V Surface Mount SOD-523
  
  型号：BB145B,115
  仓库库存编号：568-3428-1-ND
  别名：568-3428-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 0.76A SOT-23-3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 760mA（Ta） 540mW（Ta） Micro3?/SOT-23
  
  型号：IRLML5103GTRPBF
  仓库库存编号：IRLML5103GTRPBFCT-ND
  别名：IRLML5103GTRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 12V 2A SOT89-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 2A 140MHz 900mW Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：2DB1697-13
  仓库库存编号：2DB1697DICT-ND
  别名：2DB1697DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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