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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 34.6A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW35N60C3
  仓库库存编号：SPW35N60C3IN-ND
  别名：SP000014970
  SPW35N60C3-ND
  SPW35N60C3FKSA1
  SPW35N60C3IN
  SPW35N60C3X
  SPW35N60C3XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 900V 44A 200W C3 TO-247
  详细描述：IGBT 900V 44A 200W Through Hole TO-247
  
  型号：IXYH24N90C3D1
  仓库库存编号：IXYH24N90C3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 34A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 34A（Tc） 250W（Tc） TO-220
  
  型号：STP40N60M2
  仓库库存编号：497-14222-5-ND
  别名：497-14222-5
  STP40N60M2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 86A 480W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 86A 480W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH40N120B3D1
  仓库库存编号：IXYH40N120B3D1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STWA20N95K5
  仓库库存编号：497-14583-5-ND
  别名：497-14583-5
  STWA20N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 379W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N60EF-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N60EF-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT44N50P
  仓库库存编号：IXFT44N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 470W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP26N60LPBF
  仓库库存编号：IRFP26N60LPBF-ND
  别名：*IRFP26N60LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 500V 44A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 44A（Tc） 658W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK44N50P
  仓库库存编号：IXFK44N50P-ND
  别名：612450
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 39A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 39A（Tc） 313W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R075CP
  仓库库存编号：IPW60R075CPIN-ND
  别名：IPW60R075CPFKSA1
  IPW60R075CPIN
  IPW60R075CPXK
  SP000358192
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 45A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 625W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FDH45N50F_F133
  仓库库存编号：FDH45N50F_F133-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 52A 297W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT33GF120BRG
  仓库库存编号：APT33GF120BRG-ND
  别名：APT33GF120BRGMI
  APT33GF120BRGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 300V 50A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 690W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH50N30Q3
  仓库库存编号：IXFH50N30Q3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECTIFIER BRIDGE 1400V 25A D-34A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1400V 25A QC Terminal D-34
  
  型号：VS-26MB140A
  仓库库存编号：VS-26MB140AGI-ND
  别名：*26MB140A
  26MB140A
  26MB140A-ND
  VS-26MB140A-ND
  VS-26MB140AGI
  VS26MB140A
  VS26MB140A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 80A 260W MAX247
  详细描述：IGBT 600V 80A 260W Through Hole MAX247?
  
  型号：STGY40NC60VD
  仓库库存编号：497-6736-5-ND
  别名：497-6736-5
  STGY40NC60VD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 100A 500W TO247
  详细描述：IGBT NPT 600V 100A 500W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT60GT60BRG
  仓库库存编号：APT60GT60BRG-ND
  别名：APT60GT60BRGMI
  APT60GT60BRGMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 77.5A（Tc） 481W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R041P6FKSA1
  仓库库存编号：IPW60R041P6FKSA1-5-ND
  别名：IPW60R041P6FKSA1-5
  SP001091630
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 47A SUPER247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
  
  型号：IRFPS43N50KPBF
  仓库库存编号：IRFPS43N50KPBF-ND
  别名：*IRFPS43N50KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 560V 52A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 52A（Tc） 417W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：SPW52N50C3
  仓库库存编号：SPW52N50C3IN-ND
  别名：SP000014626
  SPW52N50C3-ND
  SPW52N50C3FKSA1
  SPW52N50C3IN
  SPW52N50C3X
  SPW52N50C3XK
  
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• Microsemi Corporation
  IGBT 900V 145A 625W TO247
  详细描述：IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT80GA90B
  仓库库存编号：APT80GA90B-ND
  别名：APT80GA90BMI
  APT80GA90BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT17F100B
  仓库库存编号：APT17F100B-ND
  别名：APT17F100BMI
  APT17F100BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 14A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT14M120B
  仓库库存编号：APT14M120B-ND
  别名：APT14M120BMI
  APT14M120BMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR36N60P
  仓库库存编号：IXFR36N60P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 227W（Tc） PG-TO247-4
  
  型号：IPZ60R040C7XKSA1
  仓库库存编号：IPZ60R040C7XKSA1-ND
  别名：SP001296204
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 250V 140A TO264
  详细描述：通孔 N 沟道 140A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK140N25T
  仓库库存编号：IXFK140N25T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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