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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  RECT BRIDGE 1-PH 600V 35A GBPC-A
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 35A QC Terminal GBPC-A
  
  型号：VS-GBPC3506A
  仓库库存编号：GBPC3506A-ND
  别名：*GBPC3506A
  GBPC3506A
  VS-GBPC3506A-ND
  VSGBPC3506A
  VSGBPC3506A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 1200V 45A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 1200V 45A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PH50UPBF
  仓库库存编号：IRG4PH50UPBF-ND
  别名：*IRG4PH50UPBF
  SP001547832
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：STF24N60M2
  仓库库存编号：497-13577-5-ND
  别名：497-13577-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 1200V 36A 250W TO247
  详细描述：IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT15GT120BRDQ1G
  仓库库存编号：APT15GT120BRDQ1G-ND
  别名：APT15GT120BRDQ1GMI
  APT15GT120BRDQ1GMI-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 31A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 31A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP31N50LPBF
  仓库库存编号：IRFP31N50LPBF-ND
  别名：*IRFP31N50LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
  详细描述：通孔 N 沟道 53.5A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R070P6XKSA1
  仓库库存编号：IPW60R070P6XKSA1-ND
  别名：SP001114660
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 60A 339W TO3P
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 339W Through Hole TO-3PN
  
  型号：FGA30N120FTDTU
  仓库库存编号：FGA30N120FTDTU-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 36A TO-220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 36A（Tc） 312W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FCP36N60N
  仓库库存编号：FCP36N60N-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 24A（Tc） 335W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT24F50B
  仓库库存编号：APT24F50B-ND
  别名：APT24F50BMP
  APT24F50BMP-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 950V 10A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 190W（Tc） TO-220
  
  型号：STP13N95K3
  仓库库存编号：497-10784-5-ND
  别名：497-10784-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 6A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH6N100D2
  仓库库存编号：IXTH6N100D2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 1200V 60A 300W TO220
  详细描述：IGBT PT 1200V 60A 300W Through Hole TO-220AB
  
  型号：IXGP30N120B3
  仓库库存编号：IXGP30N120B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 1.2KV 3A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXTP3N120
  仓库库存编号：IXTP3N120-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 500V 32A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 460W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP32N50KPBF
  仓库库存编号：IRFP32N50KPBF-ND
  别名：*IRFP32N50KPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 60A 300W TO263
  详细描述：IGBT PT 1200V 60A 300W Surface Mount TO-263 (IXGA)
  
  型号：IXGA30N120B3
  仓库库存编号：IXGA30N120B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 17.5A（Tc） 250W（Tc） TO-247
  
  型号：STW22N95K5
  仓库库存编号：497-14580-5-ND
  别名：497-14580-5
  STW22N95K5-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 23A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
  
  型号：IRFP23N50LPBF
  仓库库存编号：IRFP23N50LPBF-ND
  别名：*IRFP23N50LPBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 900V 51A 200W TO247AC
  详细描述：IGBT 900V 51A 200W Through Hole TO-247AC
  
  型号：IRG4PF50WDPBF
  仓库库存编号：IRG4PF50WDPBF-ND
  别名：*IRG4PF50WDPBF
  92-0120PBF
  92-0120PBF-ND
  SP001547862
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 53A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 53A（Tc） 391W（Tc） PG-TO247-3
  
  型号：IPW60R070C6
  仓库库存编号：IPW60R070C6-ND
  别名：IPW60R070C6FKSA1
  SP000645060
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 36A（Tc） 540W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT36N50P
  仓库库存编号：IXFT36N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 650V 47A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG47N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG47N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 100V 50A TO-247AD
  详细描述：通孔 P 沟道 50A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH50P10
  仓库库存编号：IXTH50P10-ND
  别名：606059
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 75A 300W TO268
  详细描述：IGBT PT 1200V 75A 300W Surface Mount TO-268
  
  型号：IXGT32N120A3
  仓库库存编号：IXGT32N120A3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 47A（Tc） 417W（Tc） TO-247-3
  
  型号：FCH47N60F_F133
  仓库库存编号：FCH47N60F_F133-ND
  别名：FCH47N60FF133
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 600V 42A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 42A（Tc） 300W（Tc） TO-247
  
  型号：STW48N60M2
  仓库库存编号：497-15250-5-ND
  别名：497-15250-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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