产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 800V 12A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 12A(Tc) 190W(Tc) TO-220
型号:
STP13N80K5
仓库库存编号:
497-13779-5-ND
别名:497-13779-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC
详细描述:IGBT 1200V 41A 160W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PH40UDPBF
仓库库存编号:
IRG4PH40UDPBF-ND
别名:*IRG4PH40UDPBF
63-6004PBF
63-6004PBF-ND
SP001537144
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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IXYS
IGBT 1200V 40A 180W TO220
详细描述:IGBT PT 1200V 40A 180W Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP20N120A3
仓库库存编号:
IXGP20N120A3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 900V 6.7A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 6.7A(Tc) 190W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPF50PBF
仓库库存编号:
IRFPF50PBF-ND
别名:*IRFPF50PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 150W(Tc) TO-247
型号:
STW24N60DM2
仓库库存编号:
497-14582-5-ND
别名:497-14582-5
STW24N60DM2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 11A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 11A(Tc) 150W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP340PBF
仓库库存编号:
IRFP340PBF-ND
别名:*IRFP340PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 55A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 55A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50UPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50UPBF-ND
别名:*IRG4PC50UPBF
63-6002PBF
63-6002PBF-ND
SP001547878
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V TO247-3
详细描述:通孔 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO247-3
型号:
IPW60R099P6XKSA1
仓库库存编号:
IPW60R099P6XKSA1-ND
别名:SP001114658
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 30A(Tc) 390W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG32N50D-GE3
仓库库存编号:
SIHG32N50D-GE3-ND
别名:SIHG32N50DGE3
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 100A 223W TO247
详细描述:IGBT Trench 600V 100A 223W Through Hole TO-247
型号:
NGTG50N60FWG
仓库库存编号:
NGTG50N60FWGOS-ND
别名:NGTG50N60FWGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 39A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 417W(Tc) TO-220
型号:
AOT42S60L
仓库库存编号:
785-1515-5-ND
别名:AOT42S60L-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET P-CH 100V 52A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 52A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA52P10P
仓库库存编号:
IXTA52P10P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET P-CH 150V 36A TO-263
详细描述:表面贴装 P 沟道 36A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)
型号:
IXTA36P15P
仓库库存编号:
IXTA36P15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 70A 200W TO247AC
详细描述:IGBT 600V 70A 200W Through Hole TO-247AC
型号:
IRG4PC50SPBF
仓库库存编号:
IRG4PC50SPBF-ND
别名:*IRG4PC50SPBF
SP001541548
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-3P
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 400W(Tc) TO-3P
型号:
IXTQ52N30P
仓库库存编号:
IXTQ52N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 308W TO247AC
详细描述:IGBT NPT 600V 60A 308W Through Hole TO-247AC
型号:
IRGP35B60PDPBF
仓库库存编号:
IRGP35B60PDPBF-ND
别名:*IRGP35B60PDPBF
63-6008PBF
63-6008PBF-ND
SP001546216
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
IGBT 1200V 57A 200W TO247AD
详细描述:IGBT 1200V 57A 200W Through Hole TO-247AD
型号:
IRG4PH50S-EPBF
仓库库存编号:
IRG4PH50S-EPBF-ND
别名:IRG4PH50SEPBF
SP001545684
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 800V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 190W(Tc) TO-247
型号:
STW15N80K5
仓库库存编号:
497-13447-ND
别名:497-13447
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECT BRIDGE 1-PH 800V 25A GBPC-A
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A QC Terminal GBPC-A
型号:
VS-GBPC2508A
仓库库存编号:
GBPC2508A-ND
别名:*GBPC2508A
GBPC2508A
VS-GBPC2508A-ND
VSGBPC2508A
VSGBPC2508A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 220W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFP17N50LPBF
仓库库存编号:
IRFP17N50LPBF-ND
别名:*IRFP17N50LPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
详细描述:通孔 N 沟道 28A(Tc) 310W(Tc) TO-3PN
型号:
FDA28N50
仓库库存编号:
FDA28N50-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 39A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 39A(Tc) 37.9W(Tc) TO-220-3F
型号:
AOTF42S60L
仓库库存编号:
785-1272-5-ND
别名: AOTF42S60L
785-1272-5
AOTF42S60
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 16A TO-247AC
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 280W(Tc) TO-247-3
型号:
IRFPC60PBF
仓库库存编号:
IRFPC60PBF-ND
别名:*IRFPC60PBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 17A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 125W(Tc) TO-220
型号:
STP24NM60N
仓库库存编号:
497-11229-5-ND
别名:497-11229-5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 220W(Tc) TO-220AB
型号:
IRFB17N50LPBF
仓库库存编号:
IRFB17N50LPBF-ND
别名:*IRFB17N50LPBF
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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