产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Micro Commercial Co
BRIDGE RECT 50A 600V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 50A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC5006-BP
仓库库存编号：
GBPC5006-BPMS-ND
别名：GBPC5006-BPMS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 60A 200W TO247
详细描述：IGBT 600V 60A 200W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW30NC60WD
仓库库存编号：
497-5204-5-ND
别名：497-5204-5
STGW30NC60WD-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 70A 250W TO247
详细描述：IGBT 600V 70A 250W Through Hole TO-247 Long Leads
型号：
STGW40NC60KD
仓库库存编号：
497-8441-5-ND
别名：497-8441-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 1200V 40A 298W TO3PN
详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 40A 298W Through Hole TO-3P
型号：
FGA20N120FTDTU
仓库库存编号：
FGA20N120FTDTUFS-ND
别名：FGA20N120FTDTU-ND
FGA20N120FTDTUFS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 4.3A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFPG40PBF
仓库库存编号：
IRFPG40PBF-ND
别名：*IRFPG40PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N CH 600V 17A I2PAK
详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 125W（Tc） I2PAK
型号：
STI24NM60N
仓库库存编号：
497-12260-ND
别名：497-12260
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 16A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 16A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH16N50P
仓库库存编号：
IXFH16N50P-ND
别名：611778
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1000V 8A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 225W（Tc） TO-3PN
型号：
FQA8N100C
仓库库存编号：
FQA8N100CFS-ND
别名：FQA8N100C-ND
FQA8N100CFS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 400V 23A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 23A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP360LCPBF
仓库库存编号：
IRFP360LCPBF-ND
别名：*IRFP360LCPBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 250V 45A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 45A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
型号：
STP50NF25
仓库库存编号：
497-7526-5-ND
别名：497-7526-5
STP50NF25-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPP20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000681058
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 35A 800V GBPC-
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3508W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC3508W-E4/51GI-ND
别名：GBPC3508W-E4/51GI
GBPC3508W/1
GBPC3508W/1GI
GBPC3508W/1GI-ND
GBPC3508WE451
GBPC3508WGI
GBPC3508WGI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 20.7A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 20.7A（Tc） 34.5W（Tc） PG-TO220-3-31 整包
型号：
SPA20N60C3XKSA1
仓库库存编号：
SPA20N60C3XKSA1-ND
别名：SP000216354
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-247AC
型号：
SIHG22N60E-E3
仓库库存编号：
SIHG22N60E-E3-ND
别名：SIHG22N60EE3
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 80A 290W TO247
详细描述：IGBT Field Stop 600V 80A 290W Through Hole TO-247
型号：
FGH80N60FD2TU
仓库库存编号：
FGH80N60FD2TU-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 90W（Tc） TO-220-3
型号：
STP16N65M5
仓库库存编号：
497-8788-5-ND
别名：497-8788-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 60A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 60A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40SPBF
仓库库存编号：
IRG4PC40SPBF-ND
别名：*IRG4PC40SPBF
SP001537184
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 600V 70A 290W TO247
详细描述：IGBT 600V 70A 290W Through Hole TO-247
型号：
HGTG20N60A4
仓库库存编号：
HGTG20N60A4-ND
别名：HGTG20N60A4_NL
HGTG20N60A4_NL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 35A 200V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3502-E4/51
仓库库存编号：
GBPC3502-E4/51GI-ND
别名：GBPC3502-E4/1
GBPC3502-E4/1-ND
GBPC3502-E4/1GI
GBPC3502-E4/1GI-ND
GBPC3502-E4/51GI
GBPC3502E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 35A 100V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 35A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC3501-E4/51
仓库库存编号：
GBPC3501-E4/51GI-ND
别名：GBPC3501-E4/1
GBPC3501-E4/1-ND
GBPC3501-E4/1GI
GBPC3501-E4/1GI-ND
GBPC3501-E4/51GI
GBPC3501E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-FP
详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 34W（Tc） PG-TO-220-FP
型号：
IPA60R125C6
仓库库存编号：
IPA60R125C6-ND
别名：IPA60R125C6XKSA1
SP000685848
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40UDPBF
仓库库存编号：
IRG4PC40UDPBF-ND
别名：*IRG4PC40UDPBF
SP001532594
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 7.2A（Tc） 150W（Tc） TO-220-3
型号：
STP7N95K3
仓库库存编号：
497-8792-5-ND
别名：497-8792-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-247
型号：
STW10N95K5
仓库库存编号：
497-14579-5-ND
别名：497-14579-5
STW10N95K5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 46A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 46A（Tc） 280W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP260PBF
仓库库存编号：
IRFP260PBF-ND
别名：*IRFP260PBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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