产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 600V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2506W
仓库库存编号：
1242-1291-ND
别名：1242-1291
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 25A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2504T
仓库库存编号：
1242-1268-ND
别名：1242-1268
GBPC2504T/WGN
GBPC2504T/WGN-ND
GBPC2504TGN-ND
GBPC2504TW
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 1000V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3510W
仓库库存编号：
1242-1296-ND
别名：1242-1296
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 10.8A（Tc） 32.1W（Tc） TO-220F
型号：
FCPF11N60NT
仓库库存编号：
FCPF11N60NT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 200V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 35A QC Terminal GBPC-T
型号：
GBPC3502T
仓库库存编号：
1242-1271-ND
别名：1242-1271
GBPC3502T/WGN
GBPC3502T/WGN-ND
GBPC3502TGN-ND
GBPC3502TW
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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ON Semiconductor
IGBT 600V 60A 167W TO247
详细描述：IGBT Trench 600V 60A 167W Through Hole TO-247
型号：
NGTG30N60FWG
仓库库存编号：
NGTG30N60FWGOS-ND
别名：NGTG30N60FWGOS
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A QC Terminal GBPC-T
型号：
GBPC3504T
仓库库存编号：
1242-1272-ND
别名：1242-1272
GBPC3504T/WGN
GBPC3504T/WGN-ND
GBPC3504TGN-ND
GBPC3504TW
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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GeneSiC Semiconductor
DIODE BRIDGE 400V 35A GBPC-T/W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 35A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC3504W
仓库库存编号：
1242-1294-ND
别名：1242-1294
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 150W（Tc） TO-263（IXFA）
型号：
IXFA4N100Q-TRL
仓库库存编号：
IXFA4N100Q-TRLCT-ND
别名：IXFA4N100Q-TRLCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 12A 50V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 50V 12A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC12005-E4/51
仓库库存编号：
GBPC12005-E4/51GI-ND
别名：GBPC12005
GBPC12005-E4/51GI
GBPC12005-ND
GBPC12005/1
GBPC12005/1-ND
GBPC12005/1GI
GBPC12005/1GI-ND
GBPC12005E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 400V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2504W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2504W-E4/51GI-ND
别名：GBPC2504W-E4/51-ND
GBPC2504W-E4/51GI
GBPC2504WE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 950V 8A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220
型号：
STP10N95K5
仓库库存编号：
497-14568-5-ND
别名：497-14568-5
STP10N95K5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 12A 600V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 12A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1206-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1206-E4/51GI-ND
别名：GBPC1206
GBPC1206-E4/51GI
GBPC1206-ND
GBPC1206/1
GBPC1206/1-ND
GBPC1206/1GI
GBPC1206/1GI-ND
GBPC1206E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 15A 200V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 15A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1502-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1502-E4/51-ND
别名：GBPC1502E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 25A 100V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 100V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2501-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2501-E4/51GI-ND
别名：GBPC2501-E4/51GI
GBPC2501/1
GBPC2501/1GI
GBPC2501/1GI-ND
GBPC2501E451
GBPC2501GI
GBPC2501GI-ND
KBPC2501
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 15A 400V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 15A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC1504-E4/51
仓库库存编号：
GBPC1504-E4/51-ND
别名：GBPC1504E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 1000V GBPC-W
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 25A Through Hole GBPC-W
型号：
GBPC2510W-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2510W-E4/51GI-ND
别名：GBPC2510W-E4/51-ND
GBPC2510W-E4/51GI
GBPC2510WE451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1PH 25A 800V GBPC
详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 25A QC Terminal GBPC
型号：
GBPC2508-E4/51
仓库库存编号：
GBPC2508-E4/51GI-ND
别名：GBPC2508-E4/51-ND
GBPC2508-E4/51GI
GBPC2508E451
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
详细描述：通孔 N 沟道 21A（Tc） 227W（Tc） TO-220AB
型号：
SIHP22N60E-E3
仓库库存编号：
SIHP22N60E-E3-ND
别名：SIHP22N60EE3
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40UPBF
仓库库存编号：
IRG4PC40UPBF-ND
别名：*IRG4PC40UPBF
63-6003PBF
63-6003PBF-ND
SP001549526
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 40A 160W TO247AC
详细描述：IGBT 600V 40A 160W Through Hole TO-247AC
型号：
IRG4PC40WPBF
仓库库存编号：
IRG4PC40WPBF-ND
别名：*IRG4PC40WPBF
SP001533592
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
详细描述：通孔 N 沟道 28A（Tc） 310W（Tc） TO-3PN
型号：
FDA28N50F
仓库库存编号：
FDA28N50F-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 5.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIB6N60APBF
仓库库存编号：
IRFIB6N60APBF-ND
别名：*IRFIB6N60APBF
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FP
详细描述：通孔 N 沟道 13A（Tc） 25W（Tc） TO-220 整包
型号：
STF16N50M2
仓库库存编号：
497-15114-5-ND
别名：497-15114-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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STMicroelectronics
IGBT 600V 70A 250W TO247
详细描述：IGBT 600V 70A 250W Through Hole TO-247-3
型号：
STGW45HF60WD
仓库库存编号：
497-10403-5-ND
别名：497-10403-5
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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