以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 10A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 10A（Tc） 21W（Tc） TO-220F-3
  
  型号：FDPF770N15A
  仓库库存编号：FDPF770N15A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 330mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：VN0606L-G
  仓库库存编号：VN0606L-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 11.4A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.4A（Tc） 104.2W（Tc） PG-TO263
  
  型号：IPB65R310CFD
  仓库库存编号：IPB65R310CFDCT-ND
  别名：IPB65R310CFDCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 28A（Tc） 3W（Ta），6.25W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4842BDY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4842BDY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4842BDY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 5.2W（Ta），125W（Tc） 10-PolarPAK?（L）
  
  型号：SIE868DF-T1-GE3
  仓库库存编号：SIE868DF-T1-GE3CT-ND
  别名：SIE868DF-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 1.1A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9010PBF
  仓库库存编号：IRFD9010PBF-ND
  别名：*IRFD9010PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 7.7A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 7.7A（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU014PBF
  仓库库存编号：IRFU014PBF-ND
  别名：*IRFU014PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16.1A（Tc） 208.3W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD65R250C6XTMA1
  仓库库存编号：IPD65R250C6XTMA1CT-ND
  别名：IPD65R250C6XTMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 8.8A I-PAK
  详细描述：通孔 P 沟道 8.8A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU9024PBF
  仓库库存编号：IRFU9024PBF-ND
  别名：*IRFU9024PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Microchip Technology
  MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 250mA（Tj） 1W（Tc） TO-92-3
  
  型号：TN0620N3-G
  仓库库存编号：TN0620N3-G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 80W Through Hole TO-220
  
  型号：TIP102-BP
  仓库库存编号：TIP102-BP-ND
  别名：TIP102BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 114W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP55N06
  仓库库存编号：FDP55N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 15A 200V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 15A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1502-BP
  仓库库存编号：GBJ1502-BPMS-ND
  别名：GBJ1502-BPMS
  GBJ1502BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  BRIDGE RECT 1PHASE 1000V GBJL
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 15A Through Hole GBJL
  
  型号：GBJL1510
  仓库库存编号：GBJL1510MS-ND
  别名：GBJL1510MS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  IC BRIDGE RECT GPP 4A 200V RS-4L
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole RS-4L
  
  型号：RS403GL-BP
  仓库库存编号：RS403GL-BPMS-ND
  别名：RS403GL-BPMS
  RS403GLBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 15A 800V GBJ
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 800V 15A Through Hole GBJ
  
  型号：GBJ1508-BP
  仓库库存编号：GBJ1508-BPMS-ND
  别名：GBJ1508-BPMS
  GBJ1508BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 800V 3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 107W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FQP3N80C
  仓库库存编号：FQP3N80CFS-ND
  别名：FQP3N80C-ND
  FQP3N80CFS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 25V 35A POWER56
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Ta），49A（Tc） 2.5W（Ta），96W（Tc） Power56
  
  型号：FDMS7556S
  仓库库存编号：FDMS7556SCT-ND
  别名：FDMS7556SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
  详细描述：通孔 N 沟道 4.5A（Tc） 78W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP5N50NZ
  仓库库存编号：FDP5N50NZ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 500V 12A TO-220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 12A（Tc） 39W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF11N50ZG
  仓库库存编号：NDF11N50ZGOS-ND
  别名：NDF11N50ZG-ND
  NDF11N50ZGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 400V 3A TO-220F
  详细描述：通孔 N 沟道 3A（Tc） 35W（Tc） TO-220F
  
  型号：FQPF5N40
  仓库库存编号：FQPF5N40-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 1.4A I-PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 1.4A（Tc） 36W（Tc） TO-251AA
  
  型号：IRFU1N60APBF
  仓库库存编号：IRFU1N60APBF-ND
  别名：*IRFU1N60APBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP
  详细描述：通孔 N 沟道 2.4A（Tc） 1W（Tc） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD020PBF
  仓库库存编号：IRFD020PBF-ND
  别名：*IRFD020PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 25V 15A/26A POWER56
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 15A, 26A 1W Surface Mount Power56
  
  型号：FDMS3602S
  仓库库存编号：FDMS3602SCT-ND
  别名：FDMS3602SCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 8.1A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRF634PBF
  仓库库存编号：IRF634PBF-ND
  别名：*IRF634PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索