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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 60A（Tc） 6.25W（Ta），104W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIR812DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIR812DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIR812DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 58.8A（Tc） 5W（Ta），56.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SIJ470DP-T1-GE3
  仓库库存编号：SIJ470DP-T1-GE3CT-ND
  别名：SIJ470DP-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 46A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4136DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4136DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4136DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 3.8A 8-MSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 3.8A（Ta） 1.1W（Ta） 8-MSOP
  
  型号：ZXM64P03XTA
  仓库库存编号：ZXM64P03XCT-ND
  别名：ZXM64P03X
  ZXM64P03XCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 1.5W（Ta） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SI7108DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SI7108DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SI7108DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 240V 0.16A TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 160mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN0124A
  仓库库存编号：ZVN0124A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10.9A（Tc） 62.5W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC16DN25NS3 G
  仓库库存编号：BSC16DN25NS3GCT-ND
  别名：BSC16DN25NS3GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 6A 1.5W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7900AEDN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7900AEDN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7900AEDN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 500V 0.37A 8SOP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 500V 370mA 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：FQS4903TF
  仓库库存编号：FQS4903TFCT-ND
  别名：FQS4903TFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 2.2A（Tc） 57W（Tc） I-Pak
  
  型号：NDD02N60Z-1G
  仓库库存编号：NDD02N60Z-1GOS-ND
  别名：NDD02N60Z-1G-ND
  NDD02N60Z-1GOS
  NDD02N60Z1G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 18A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 18A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8870
  仓库库存编号：FDS8870FSCT-ND
  别名：FDS8870FSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECTIFIER BRIDGE 1A 1000V DB-1
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole DB-1
  
  型号：DB107-BP
  仓库库存编号：DB107-BPMS-ND
  别名：DB107-BPMS
  DB107BP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V TRENCH DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Ta），37A（Tc） 3.1W（Ta），62W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：FDD86326
  仓库库存编号：FDD86326CT-ND
  别名：FDD86326CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 7.6A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7.6A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS3580
  仓库库存编号：FDS3580FSCT-ND
  别名：FDS3580FSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS 2PNP 40V 2A 8MSOP
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 40V 2A 130MHz 1.04W Surface Mount 8-MSOP
  
  型号：ZXT12P40DXTA
  仓库库存编号：ZXT12P40DXCT-ND
  别名：ZXT12P40DXCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 600V 4.8A TO220FP
  详细描述：通孔 N 沟道 4.8A（Tc） 30W（Tc） TO-220FP
  
  型号：NDF04N60ZH
  仓库库存编号：NDF04N60ZHOS-ND
  别名：NDF04N60ZH-ND
  NDF04N60ZHOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP
  详细描述：通孔 P 沟道 400mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  
  型号：IRFD9210PBF
  仓库库存编号：IRFD9210PBF-ND
  别名：*IRFD9210PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 100V 1.8A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.8A 1.3W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7922DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7922DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7922DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 25A 80W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 25A 80W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB7NC60HDT4
  仓库库存编号：497-4108-1-ND
  别名：497-4108-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 25A 80W D2PAK
  详细描述：IGBT 600V 25A 80W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB14NC60KDT4
  仓库库存编号：497-5109-1-ND
  别名：497-5109-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
  详细描述：通孔 N 沟道 450mA（Ta） 700mW（Ta） TO-92-3
  
  型号：ZVN4210A
  仓库库存编号：ZVN4210A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8
  详细描述：Mosfet Array 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge) 100V 1A, 800mA 1.3W Surface Mount SM8
  
  型号：ZXMHC10A07T8TA
  仓库库存编号：ZXMHC10A07T8CT-ND
  别名：ZXMHC10A07T8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 6A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 6A Through Hole GBU
  
  型号：GBU6D-BP
  仓库库存编号：GBU6D-BPMS-ND
  别名：GBU6D-BPMS
  GBU6DBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Micro Commercial Co
  RECT BRIDGE GPP 4A 200V GBU
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 200V 4A Through Hole GBU
  
  型号：GBU4D-BP
  仓库库存编号：GBU4D-BPMS-ND
  别名：GBU4D-BPMS
  GBU4DBP
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 22A 8-PQFN
  详细描述：表面贴装 N 沟道 22A（Ta），49A（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） Power33
  
  型号：FDMC8321L
  仓库库存编号：FDMC8321LCT-ND
  别名：FDMC8321LCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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