产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1AMP 400V DFS
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 400V 1A Surface Mount DFS
型号:
DF04S-E3/45
仓库库存编号:
DF04S-E3/45GI-ND
别名:DF04S-E3/45GI
DF04S-E3\45
DF04S-E3\45GI
DF04S-E3\45GI-ND
DF04SE345
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
RECTIFIER BRIDGE 1AMP 200V DFS
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 1A Surface Mount DFS
型号:
DF02S-E3/45
仓库库存编号:
DF02S-E3/45GI-ND
别名:DF02S-E3/45GI
DF02S-E3\45
DF02S-E3\45GI
DF02S-E3\45GI-ND
DF02SE345
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN 80V 4A TO-225AA
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-225AA
型号:
BD441G
仓库库存编号:
BD441GOS-ND
别名:BD441G-ND
BD441GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 13A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7805TRPBF
仓库库存编号:
IRF7805PBFCT-ND
别名:*IRF7805TRPBF
IRF7805PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号:
MJE803G
仓库库存编号:
MJE803GOS-ND
别名:MJE803GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 22A TSDSON-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 22A(Ta),40A(Tc) 2.1W(Ta),69W(Tc) PG-TSDSON-8-FL
型号:
BSZ025N04LSATMA1
仓库库存编号:
BSZ025N04LSATMA1CT-ND
别名:BSZ025N04LSATMA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.8A(Tc) 2.5W(Ta),49W(Tc) D-Pak
型号:
FQD5N60CTM
仓库库存编号:
FQD5N60CTMCT-ND
别名:FQD5N60CTMCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 100V 4A TO225AA
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号:
BD682G
仓库库存编号:
BD682GOS-ND
别名:BD682GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 500V 0.15A E-LINE
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 500V 150mA 60MHz 1W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
型号:
ZTX560
仓库库存编号:
ZTX560-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 17A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 17A(Ta) 1.9W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7636DP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7636DP-T1-E3CT-ND
别名:SI7636DP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 2.9A 1.81W Surface Mount 8-SO
型号:
ZXMP6A16DN8TA
仓库库存编号:
ZXMP6A16DN8CT-ND
别名:ZXMP6A16DN8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 7.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO
型号:
ZXMN3B04N8TA
仓库库存编号:
ZXMN3B04N8CT-ND
别名:ZXMN3B04N8CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 60V 4A TO225
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号:
BD677G
仓库库存编号:
BD677GOS-ND
别名:BD677G-ND
BD677GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS PNP DARL 60V 4A TO225
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 60V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号:
BD678G
仓库库存编号:
BD678GOS-ND
别名:BD678G-ND
BD678GOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 4A 40W Through Hole TO-225AA
型号:
BD679AG
仓库库存编号:
BD679AGOS-ND
别名:BD679AG-ND
BD679AGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET 2N-CH 25V 17.5A/34A PWR56
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 25V 17.5A, 34A 1W Surface Mount Power56
型号:
FDMS3622S
仓库库存编号:
FDMS3622SCT-ND
别名:FDMS3622SCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.5A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7450TRPBF
仓库库存编号:
IRF7450PBFCT-ND
别名:*IRF7450TRPBF
IRF7450PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 18.6A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 18.6A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
FDS8840NZ
仓库库存编号:
FDS8840NZCT-ND
别名:FDS8840NZCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
详细描述:表面贴装 N 沟道 15A(Ta) 1.8W(Ta) PowerPAK? SO-8
型号:
SI7892BDP-T1-E3
仓库库存编号:
SI7892BDP-T1-E3CT-ND
别名:SI7892BDP-T1-E3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 15.2A(Tc) 62.5W(Tc) PG-TSDSON-8
型号:
BSZ900N20NS3 G
仓库库存编号:
BSZ900N20NS3GCT-ND
别名:BSZ900N20NS3GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 600V 1A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 2.5W(Ta),28W(Tc) I-Pak
型号:
FQU1N60CTU
仓库库存编号:
FQU1N60CTUFS-ND
别名:FQU1N60CTU-ND
FQU1N60CTUFS
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microchip Technology
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
详细描述:通孔 N 沟道 120mA(Tj) 1W(Tc) TO-92(TO-226)
型号:
DN2535N3-G
仓库库存编号:
DN2535N3-G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Micro Commercial Co
RECTIFIER BRIDGE 1A 800V DB-1
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 800V 1A Through Hole DB-1
型号:
DB106-BP
仓库库存编号:
DB106-BPMS-ND
别名:DB106-BPMS
DB106BP
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE 1.5A 200V KBPM
详细描述:Bridge Rectifier Single Phase 200V 1.5A Through Hole KBPM
型号:
KBP02M-E4/51
仓库库存编号:
KBP02M-E4/51GI-ND
别名:KBP02M-E4/51-ND
KBP02ME451
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 11.5A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 11.5A(Ta),50A(Tc) 3.1W(Ta),69W(Tc) D-PAK(TO-252AA)
型号:
FDD5353
仓库库存编号:
FDD5353CT-ND
别名:FDD5353CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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