以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS6690AS
  仓库库存编号：FDS6690ASCT-ND
  别名：FDS6690ASCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Central Semiconductor Corp
  MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6A（Ta） 1.2W（Ta） SOT-89
  
  型号：CXDM4060N TR
  仓库库存编号：CXDM4060N CT-ND
  别名：CXDM4060N CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 60V 8A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 8A 40MHz 1.5W Surface Mount SOT-223-4
  
  型号：NZT45H8
  仓库库存编号：NZT45H8CT-ND
  别名：NZT45H8CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），40A（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ035N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSZ035N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSZ035N03LSGATMA1CT
  BSZ035N03LSGINCT
  BSZ035N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 140V 4A SOT-223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 4A 120MHz 3W Surface Mount SOT-223
  
  型号：ZX5T955GTA
  仓库库存编号：ZX5T955GCT-ND
  别名：ZX5T955GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.6A 2W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO615N G
  仓库库存编号：BSO615NGINCT-ND
  别名：BSO615NXTINCT
  BSO615NXTINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 35A（Tc） 3.8W（Ta），52W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SIS456DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SIS456DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SIS456DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7406TRPBF
  仓库库存编号：IRF7406PBFCT-ND
  别名：*IRF7406TRPBF
  IRF7406PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 7A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Tc） 34W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC22DN20NS3 G
  仓库库存编号：BSC22DN20NS3 GCT-ND
  别名：BSC22DN20NS3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 17.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8113TRPBF
  仓库库存编号：IRF8113PBFCT-ND
  别名：*IRF8113TRPBF
  IRF8113PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 600V 1A DFS
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF06S-G
  仓库库存编号：641-1346-5-ND
  别名：641-1346-5
  DF06SG
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 24A 23W Surface Mount PowerPAK? 1212-8 Dual
  
  型号：SI7218DN-T1-E3
  仓库库存编号：SI7218DN-T1-E3CT-ND
  别名：SI7218DN-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 10A（Ta） 1.47W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4384DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4384DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4384DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.11W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN6A25KTC
  仓库库存编号：ZXMN6A25KTCCT-ND
  别名：ZXMN6A25KTCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 150V 1.2A SOT-223-4
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta），3A（Tc） 2.3W（Ta），10W（Tc） SOT-223-4
  
  型号：FDT86256
  仓库库存编号：FDT86256CT-ND
  别名：FDT86256CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 30A 1212-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 3.6W（Ta），39W（Tc） PowerPAK? 1212-8
  
  型号：SISA10DN-T1-GE3
  仓库库存编号：SISA10DN-T1-GE3CT-ND
  别名：SISA10DN-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Diodes Incorporated
  MOSFET P-CH 30V 14.5A POWERDI
  详细描述：表面贴装 P 沟道 14.5A（Ta） 2.18W（Ta） PowerDI5060-8
  
  型号：DMP3010LPS-13
  仓库库存编号：DMP3010LPS-13DICT-ND
  别名：DMP3010LPS-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.5A（Ta），40A（Tc） 78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC265N10LSFGATMA1
  仓库库存编号：BSC265N10LSFGATMA1CT-ND
  别名：BSC265N10LSFGATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF7805ZTRPBF
  仓库库存编号：IRF7805ZPBFCT-ND
  别名：*IRF7805ZTRPBF
  IRF7805ZPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 8V 9DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.7W（Ta） 9-DSBGA
  
  型号：CSD22204WT
  仓库库存编号：296-41137-1-ND
  别名：296-41137-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 N 沟道 780mW（Ta），1.8W（Tc） 4-Micro Foot(1x1)
  
  型号：SI8410DB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8410DB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8410DB-T2-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 300V 5.5A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.5A（Tc） 2.5W（Ta），50W（Tc） D-Pak
  
  型号：FQD7N30TM
  仓库库存编号：FQD7N30TMCT-ND
  别名：FQD7N30TMCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Comchip Technology
  RECT BRIDGE GPP 1000V 1A DF
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1000V 1A Through Hole 4-DF
  
  型号：DF10-G
  仓库库存编号：641-1340-5-ND
  别名：641-1340-5
  DF10G
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.6A（Ta） 1.47W（Ta） 4-Microfoot
  
  型号：SI8409DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8409DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8409DB-T1-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.4A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.4A（Ta），68A（Tc） 1.04W（Ta），75W（Tc） DPAK
  
  型号：NTD4302T4G
  仓库库存编号：NTD4302T4GOSCT-ND
  别名：NTD4302T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
• 
  
  无铅
• 搜索