产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 5.2A, 4.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7307TRPBF
仓库库存编号：
IRF7307PBFCT-ND
别名：*IRF7307TRPBF
IRF7307PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 3.3A 1.8W Surface Mount 8-SO
型号：
DMN6066SSD-13
仓库库存编号：
DMN6066SSD-13CT-ND
别名：DMN6066SSD-13CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.6A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） D-Pak
型号：
FQD8P10TM
仓库库存编号：
FQD8P10TMCT-ND
别名：FQD8P10TMCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC024NE2LS
仓库库存编号：
BSC024NE2LSCT-ND
别名：BSC024NE2LSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 150V 1A SOT-223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 1A 30MHz 2W Surface Mount SOT-223
型号：
FZT755TA
仓库库存编号：
FZT755CT-ND
别名：FZT755
FZT755CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 P 沟道 6.2A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7241TRPBF
仓库库存编号：
IRF7241PBFCT-ND
别名：*IRF7241TRPBF
IRF7241PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 20V 20A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Tc） 3.9W（Ta），29.8W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SIR484DP-T1-GE3
仓库库存编号：
SIR484DP-T1-GE3CT-ND
别名：SIR484DP-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92-3
详细描述：通孔 N 沟道 350mA（Tc） 1.5W（Tc） TO-92-3
型号：
FQNL2N50BTA
仓库库存编号：
FQNL2N50BTACT-ND
别名：FQNL2N50BTACT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
详细描述：表面贴装 N 沟道 15A（Ta），60A（Tc） 2.6W（Ta） 8-VSON（5x6）
型号：
CSD16409Q3
仓库库存编号：
296-24253-1-ND
别名：296-24253-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 23A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03LSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03LSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03LS GCT
BSC030N03LS GCT-ND
BSC030N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 100V 4.5A SOT89
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 4.5A 130MHz 2.1W Surface Mount SOT-89-3
型号：
ZXTN2011ZTA
仓库库存编号：
ZXTN2011ZCT-ND
别名：ZXTN2011ZCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR024TRPBF
仓库库存编号：
IRFR024PBFCT-ND
别名：*IRFR024TRPBF
IRFR024PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 7A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7478TRPBF
仓库库存编号：
IRF7478PBFCT-ND
别名：*IRF7478TRPBF
IRF7478PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 9A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
型号：
IRF7469TRPBF
仓库库存编号：
IRF7469PBFCT-ND
别名：*IRF7469TRPBF
IRF7469PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
型号：
IRF7319TRPBF
仓库库存编号：
IRF7319PBFCT-ND
别名：*IRF7319TRPBF
IRF7319PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 9A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），28A（Tc） 30W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
型号：
FDD8451
仓库库存编号：
FDD8451CT-ND
别名：FDD8451CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 2.3W Surface Mount 6-WSON (2x2)
型号：
CSD85301Q2T
仓库库存编号：
296-38668-1-ND
别名：296-38668-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 100V 5A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 5A 125MHz 3W Surface Mount SOT-223
型号：
ZXTP2013GTA
仓库库存编号：
ZXTP2013GCT-ND
别名：ZXTP2013GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 140V 4A SOT223
详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 140V 4A 120MHz 3W Surface Mount SOT-223
型号：
ZXTP2014GTA
仓库库存编号：
ZXTP2014GCT-ND
别名：ZXTP2014GCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 30V 49A DFN5X6
详细描述：表面贴装 N 沟道 49A（Ta），85A（Tc） 7.4W（Ta），83W（Tc） 8-DFN（5x6）
型号：
AON6502
仓库库存编号：
785-1576-1-ND
别名：785-1576-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4436DY-T1-GE3
仓库库存编号：
SI4436DY-T1-GE3CT-ND
别名：SI4436DY-T1-GE3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
详细描述：表面贴装 N 沟道 8A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
型号：
SI4436DY-T1-E3
仓库库存编号：
SI4436DY-T1-E3CT-ND
别名：SI4436DY-T1-E3CT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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Texas Instruments
MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
详细描述：表面贴装 P 沟道 3A（Ta） 750mW（Ta） 6-DSBGA
型号：
CSD23203WT
仓库库存编号：
296-38615-1-ND
别名：296-38615-1
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 21A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8
型号：
BSC030N03MSGATMA1
仓库库存编号：
BSC030N03MSGATMA1CT-ND
别名：BSC030N03MSG+F30INCT
BSC030N03MSG+F30INCT-ND
BSC030N03MSGATMA1CT-NDTR-ND
BSC030N03MSGINCT
BSC030N03MSGINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 33A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 33A（Tc） 57W（Tc） D-Pak
型号：
IRFR3303TRPBF
仓库库存编号：
IRFR3303PBFCT-ND
别名：*IRFR3303TRPBF
IRFR3303PBFCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
无铅
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