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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 40V 1A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 1A 150MHz 2W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT591ATA
  仓库库存编号：FZT591ACT-ND
  别名：FZT591ACT
  FZT591ATA-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 40V 5.3A 8SO
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 5.3A 1.8W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMC4050SSD-13
  仓库库存编号：DMC4050SSD-13CT-ND
  别名：DMC4050SSD-13CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.9A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP170PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP170PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP170PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 20V 5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：FDS8433A
  仓库库存编号：FDS8433ACT-ND
  别名：FDS8433ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 20A 8TDSON
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），78A（Tc） 2.5W（Ta），37W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC0904NSI
  仓库库存编号：BSC0904NSICT-ND
  别名：BSC0904NSICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2P-CH 20V 3.1A MICROFET
  详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.1A 700mW Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
  
  型号：FDMA1029PZ
  仓库库存编号：FDMA1029PZCT-ND
  别名：FDMA1029PZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  RECT BRIDGE GP 400V 0.5A MINIDIP
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 400V 500mA Surface Mount 4-MiniDIP
  
  型号：RH04-T
  仓库库存编号：RH04DICT-ND
  别名：RH04
  RH04DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.29W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：NTMD6N03R2G
  仓库库存编号：NTMD6N03R2GOSCT-ND
  别名：NTMD6N03R2GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.3A（Ta），57A（Tc） 870mW（Ta），41.7W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4841NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4841NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4841NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 40V 5.5A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 5.5A 152MHz 2.1W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：ZX5T3ZTA
  仓库库存编号：ZX5T3ZCT-ND
  别名：ZX5T3ZCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.5A（Ta） 1.3W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI9433BDY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI9433BDY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI9433BDY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8721TRPBF
  仓库库存编号：IRF8721TRPBFCT-ND
  别名：IRF8721TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 35V 5.3A, 5A 1.54W Surface Mount TO-252-4L
  
  型号：DMG4511SK4-13
  仓库库存编号：DMG4511SK4-13DICT-ND
  别名：DMG4511SK4-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 12V 2A SC70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2A（Ta） 750mW（Ta） SC-70-6
  
  型号：FDG330P
  仓库库存编号：FDG330PCT-ND
  别名：FDG330PCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT-223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1.2A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP296NH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP296NH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP296NH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2
  详细描述：表面贴装 N 沟道 2.9A（Tc） 1.5W（Ta） 6-MicroFET（2x2）
  
  型号：FDFMA3N109
  仓库库存编号：FDFMA3N109FSCT-ND
  别名：FDFMA3N109CT
  FDFMA3N109CT-ND
  FDFMA3N109FSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.8A（Ta），58.5A（Tc） 870mW（Ta），38.5W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS4821NT1G
  仓库库存编号：NTMFS4821NT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS4821NT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 11.6A（Tc） 2.5W（Ta），5W（Tc） 8-SO
  
  型号：SI4487DY-T1-GE3
  仓库库存编号：SI4487DY-T1-GE3CT-ND
  别名：SI4487DY-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3.7A（Ta） 1.56W（Ta） 8-SO
  
  型号：DMN6066SSS-13
  仓库库存编号：DMN6066SSS-13CT-ND
  别名：DMN6066SSS-13CT
  
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  MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 2.1W（Ta） MicroFet 1.6x1.6 薄型
  
  型号：FDME820NZT
  仓库库存编号：FDME820NZTCT-ND
  别名：FDME820NZTCT
  
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  MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.1A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRL6372TRPBF
  仓库库存编号：IRL6372TRPBFCT-ND
  别名：IRL6372TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 30V 6A 8DSO
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 1.4W Surface Mount PG-DSO-8
  
  型号：BSO220N03MD G
  仓库库存编号：BSO220N03MD GCT-ND
  别名：BSO220N03MD GCT
  
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5.3A（Ta） 2.5W（Tc） 8-SO
  
  型号：IRF7204TRPBF
  仓库库存编号：IRF7204PBFCT-ND
  别名：*IRF7204TRPBF
  IRF7204PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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  MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 430mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP317PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP317PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP317PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 15A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 P 沟道 15A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF9321TRPBF
  仓库库存编号：IRF9321TRPBFCT-ND
  别名：IRF9321TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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