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• Diodes Incorporated
  MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 40V 7A, 5.1A 1.3W Surface Mount 8-SO
  
  型号：DMC4047LSD-13
  仓库库存编号：DMC4047LSD-13DICT-ND
  别名：DMC4047LSD-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 20V 11.7A UDFN2020-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.7A（Ta） 610mW（Ta） U-DFN2020-6（E 类）
  
  型号：DMN2011UFDE-7
  仓库库存编号：DMN2011UFDE-7DICT-ND
  别名：DMN2011UFDE-7DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 600V 0.021A SOT23
  详细描述：表面贴装 N 沟道 21mA（Ta） 500mW（Ta） PG-SOT23-3
  
  型号：BSS126H6906XTSA1
  仓库库存编号：BSS126H6906XTSA1CT-ND
  别名：BSS126 H6906CT
  BSS126 H6906CT-ND
  BSS126H6906XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  TRANS NPN DARL 80V 10A DPAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80V 10A 1.75W Surface Mount DPAK-3
  
  型号：MJD44E3T4G
  仓库库存编号：MJD44E3T4GOSCT-ND
  别名：MJD44E3T4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.8A（Ta） 780mW（Ta） 8-SOIC
  
  型号：NTMS4816NR2G
  仓库库存编号：NTMS4816NR2GOSCT-ND
  别名：NTMS4816NR2GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 1.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1471DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1471DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1471DH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 53A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta），53A（Tc） 2.5W（Ta），35W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC080N03LSGATMA1
  仓库库存编号：BSC080N03LSGATMA1CT-ND
  别名：BSC080N03LSGATMA1CT-NDTR-ND
  BSC080N03LSGINCT
  BSC080N03LSGINCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET 2N-CH 30V 11A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 11A 2W Surface Mount 8-SOIC
  
  型号：AO4838
  仓库库存编号：785-1688-1-ND
  别名：785-1688-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 100V 3A DPAK
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 3MHz 15W Surface Mount TO-252
  
  型号：MJD31CQ-13
  仓库库存编号：MJD31CQ-13DICT-ND
  别名：MJD31CQ-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 14A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO
  
  型号：IRF8714TRPBF
  仓库库存编号：IRF8714TRPBFCT-ND
  别名：IRF8714TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN DARL 100V 1.5A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 1.5A 200MHz 1.25W Surface Mount SOT-223
  
  型号：FZT7053TA
  仓库库存编号：FZT7053TACT-ND
  别名：FZT7053TACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 6-MLP
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 800mW Surface Mount 6-MLP (2x3)
  
  型号：FDMB2307NZ
  仓库库存编号：FDMB2307NZFSCT-ND
  别名：FDMB2307NZFSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V 5.36A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.36A（Ta） 2.12W（Ta） TO-252-3
  
  型号：ZXMN6A08KTC
  仓库库存编号：ZXMN6A08KTCCT-ND
  别名：ZXMN6A08KTCCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
  
  型号：IRF7105TRPBF
  仓库库存编号：IRF7105PBFCT-ND
  别名：*IRF7105TRPBF
  IRF7105PBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 31A TSDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 8.9A（Ta），31A（Tc） 2.1W（Ta），25W（Tc） PG-TSDSON-8
  
  型号：BSZ165N04NS G
  仓库库存编号：BSZ165N04NSGINCT-ND
  别名：BSZ165N04NSGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 30V 5.9A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.9A（Ta） 1.31W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4346DY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4346DY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4346DY-T1-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 30V 6A PWRPK CHPFET
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK? ChipFet Dual
  
  型号：SI5936DU-T1-GE3
  仓库库存编号：SI5936DU-T1-GE3CT-ND
  别名：SI5936DU-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.6A（Tc） 2.5W（Ta），2.78W（Tc） SC-70-6（SOT-363）
  
  型号：SI1499DH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1499DH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1499DH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS NPN 15V 3A SOT-89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor NPN 15V 3A 120MHz 2W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：FCX617TA
  仓库库存编号：FCX617CT-ND
  别名：FCX617CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Diodes Incorporated
  TRANS PNP 12V 3A SOT89
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 3A 110MHz 2W Surface Mount SOT-89-3
  
  型号：FCX717TA
  仓库库存编号：FCX717CT-ND
  别名：FCX717CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1.17A（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP315PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP315PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP315PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Texas Instruments
  MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.2A（Ta） 1W（Ta） 4-DSBGA（1x1）
  
  型号：CSD23202W10T
  仓库库存编号：296-38338-1-ND
  别名：296-38338-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  TRANS PNP 60V 4A SOT223
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 4A 75MHz 1.2W Surface Mount SOT-223-4
  
  型号：NZT751
  仓库库存编号：NZT751CT-ND
  别名：NZT751CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
  详细描述：表面贴装 P 沟道 680mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4
  
  型号：BSP316PH6327XTSA1
  仓库库存编号：BSP316PH6327XTSA1CT-ND
  别名：BSP316PH6327XTSA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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• Vishay Semiconductor Diodes Division
  DIODE GPP 1A 600V 4SMD
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 1A Surface Mount DFS
  
  型号：DF06S-E3/77
  仓库库存编号：DF06S-E3/77GICT-ND
  别名：DF06S-E3/77GICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）,
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