产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 40V 6-UDFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 8A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN4020LFDE-7
仓库库存编号:
DMN4020LFDE-7DICT-ND
别名:DMN4020LFDE-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 100V 1A SOT23-3
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 1A 50MHz 500mW Surface Mount
型号:
FMMT593QTA
仓库库存编号:
FMMT593QTADICT-ND
别名:FMMT593QTADICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1902TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS1902PBFCT-ND
别名:*IRLMS1902TRPBF
IRLMS1902PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V 5A, 6A 2.1W, 2.5W Surface Mount 8-DFN (2.9x2.3)
型号:
AON3611
仓库库存编号:
785-1570-1-ND
别名:785-1570-1
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 450V 1.3A SOT223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 1.3A 4MHz 700mW Surface Mount SOT-223
型号:
DXT13003DG-13
仓库库存编号:
DXT13003DG-13DICT-ND
别名:DXT13003DG-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.3A(Ta) 710mW(Ta) 6-WDFN(2x2)
型号:
NTLJF3117PT1G
仓库库存编号:
NTLJF3117PT1GOSCT-ND
别名:NTLJF3117PT1GOSCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 500V 1.7A PG-TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 1.7A(Tc) 18W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD50R3K0CEBTMA1
仓库库存编号:
IPD50R3K0CEBTMA1CT-ND
别名:IPD50R3K0CECT
IPD50R3K0CECT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 150V 0.6A SOT223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 150V 600mA 100MHz 2W Surface Mount SOT-223
型号:
ZXTP5401GTA
仓库库存编号:
ZXTP5401GCT-ND
别名:ZXTP5401GCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F
详细描述:表面贴装 N 沟道 236mW(Ta) SC-89-6
型号:
SI1070X-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1070X-T1-GE3CT-ND
别名:SI1070X-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 40V 3A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 3A 150MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
型号:
DJT4030P-13
仓库库存编号:
DJT4030PDICT-ND
别名:DJT4030PDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
详细描述:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 1.25W Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1965DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1965DH-T1-GE3CT-ND
别名:SI1965DH-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
TRANS NPN 40V 3A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor NPN 40V 3A 105MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
型号:
DJT4031N-13
仓库库存编号:
DJT4031NDICT-ND
别名:DJT4031NDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET 2N-CH 20V 4.2A SOT-26
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.2A 980mW Surface Mount SOT-26
型号:
DMG9926UDM-7
仓库库存编号:
DMG9926UDMDICT-ND
别名:DMG9926UDMDICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
详细描述:表面贴装 N 沟道 9A(Tc) 2.5W(Ta),13W(Tc) PowerPAK? SC-75-6L 单
型号:
SIB410DK-T1-GE3
仓库库存编号:
SIB410DK-T1-GE3CT-ND
别名:SIB410DK-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
详细描述:表面贴装 N 沟道 2.6A(Ta) 1.2W(Ta) TSOT-26
型号:
DMN10H170SVT-7
仓库库存编号:
DMN10H170SVT-7DICT-ND
别名:DMN10H170SVT-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 2.4A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS5703TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS5703PBFCT-ND
别名:*IRLMS5703TRPBF
IRLMS5703PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 250V 0.19A SOT-89
详细描述:表面贴装 P 沟道 190mA(Ta) 1W(Ta) PG-SOT89
型号:
BSS192PH6327FTSA1
仓库库存编号:
BSS192PH6327FTSA1CT-ND
别名:BSS192PH6327FTSA1CT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 30V 10.3A 8SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.3A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO
型号:
DMN3016LSS-13
仓库库存编号:
DMN3016LSS-13DICT-ND
别名:DMN3016LSS-13DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 10.5A(Ta) 660mW(Ta) U-DFN2020-6(E 类)
型号:
DMN2015UFDE-7
仓库库存编号:
DMN2015UFDE-7DICT-ND
别名:DMN2015UFDE-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 8.3A 6TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2W(Ta) 6-TSOP
型号:
IRLTS6342TRPBF
仓库库存编号:
IRLTS6342TRPBFCT-ND
别名:IRLTS6342TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Diodes Incorporated
MOSFET N/P-CH 12V/20V 6UDFN
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 12V, 20V 6A, 3.4A 1.36W Surface Mount U-DFN2020-6 (Type B)
型号:
DMC1028UFDB-7
仓库库存编号:
DMC1028UFDB-7DICT-ND
别名:DMC1028UFDB-7DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 3.2A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 N 沟道 3.2A(Ta) 1.7W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS1503TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS1503PBFCT-ND
别名:*IRLMS1503TRPBF
IRLMS1503PBFCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Vishay Siliconix
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 660mA 270mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
型号:
SI1902DL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1902DL-T1-GE3CT-ND
别名:SI1902DL-T1-GE3CT
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 5.6A(Ta) 2W(Ta) Micro6?(TSOP-6)
型号:
IRLMS6802TRPBF
仓库库存编号:
IRLMS6802PBFCT-ND
别名:*IRLMS6802TRPBF
IRLMS6802PBFCT
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Diodes Incorporated
TRANS PNP 60V 6A SOT-223
详细描述:Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 6A 100MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
型号:
DSS60600MZ4-13
仓库库存编号:
DSS60600MZ4DICT-ND
别名:DSS60600MZ4DICT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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