产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343TRL
仓库库存编号：
IRLR4343CTL-ND
别名：*IRLR4343TRL
IRLR4343CTL
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 55V 19A（Tc） 39W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIB4343
仓库库存编号：
IRLIB4343-ND
别名：*IRLIB4343
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 250V 60A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 250V 60A（Tc） 430W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4232PBF
仓库库存编号：
IRFP4232PBF-ND
别名：Q2102191
SP001571078
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 430V 20A 125W TO262AA
详细描述：IGBT 430V 20A 125W Through Hole TO-262
型号：
IRGSL14C40LPBF
仓库库存编号：
IRGSL14C40LPBF-ND
别名：*IRGSL14C40LPBF
SP001533022
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343PBF
仓库库存编号：
IRLR4343PBF-ND
别名：*IRLR4343PBF
SP001558486
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） TO-220-5
型号：
BTS247Z E3062A
仓库库存编号：
BTS247Z E3062A-ND
别名：BTS247ZE3062AATMA1
BTS247ZE3062ANT
BTS247ZE3062AT
BTS247ZE3062AT-ND
SP000012187
SP000399010
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-3
型号：
BTS244ZNKSA1
仓库库存编号：
BTS244ZNKSA1-ND
别名：BTS244Z
BTS244Z-ND
BTS244ZNK
SP000012177
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） P-TO220-5
型号：
BTS244Z E3043
仓库库存编号：
BTS244Z E3043-ND
别名：BTS244ZE3043
BTS244ZE3043AKSA1
BTS244ZE3043NK
SP000012178
SP000399006
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 35A（Tc） 170W（Tc） PG-TO220-5-62
型号：
BTS244Z E3062A
仓库库存编号：
BTS244Z E3062A-ND
别名：BTS244ZE3062AATMA1
BTS244ZE3062ANT
BTS244ZE3062AT
SP000012180
SP000399004
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） PG-TO220-5-3
型号：
BTS247ZAKSA1
仓库库存编号：
BTS247ZAKSA1-ND
别名：BTS247Z
BTS247Z-ND
BTS247ZNK
SP000012184
SP000468058
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 33A TO220-5
详细描述：通孔 N 沟道 55V 33A（Tc） 120W（Tc） P-TO220-5
型号：
BTS247ZE3043AKSA1
仓库库存编号：
BTS247ZE3043AKSA1-ND
别名：BTS247Z E3043
BTS247Z E3043-ND
BTS247ZE3043
BTS247ZE3043NK
SP000012185
SP000399008
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述：通孔 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7
型号：
BTS282ZAKSA1
仓库库存编号：
BTS282ZAKSA1-ND
别名：BTS282Z
BTS282Z-ND
BTS282ZXK
SP000399016
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
详细描述：通孔 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-230
型号：
BTS282Z E3230
仓库库存编号：
BTS282Z E3230-ND
别名：BTS282ZE3230
BTS282ZE3230AKSA1
BTS282ZE3230NK
SP000012357
SP000457996
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 78A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 150V 78A（Tc） 310W（Tc） TO-247AC
型号：
IRFP4228PBF
仓库库存编号：
IRFP4228PBF-ND
别名：SP001575766
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 150V 83A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 150V 83A（Tc） 330W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4228PBF
仓库库存编号：
IRFSL4228PBF-ND
别名：SP001567954
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343-701PBF
仓库库存编号：
IRLR4343-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
详细描述：表面贴装 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR9343-701PBF
仓库库存编号：
IRLR9343-701PBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343TRRPBF
仓库库存编号：
IRLR4343TRRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 200V 62A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 62A（Tc） 330W（Tc） TO-262
型号：
IRFSL4227PBF
仓库库存编号：
IRFSL4227PBF-ND
别名：SP001576148
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 230V 56A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 230V 56A（Tc） 370W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFB4233PBF
仓库库存编号：
IRFB4233PBF-ND
别名：SP001577810
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 300V 46A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 300V 46A（Tc） 430W（Tc） TO-247AC
型号：
64-6006PBF
仓库库存编号：
64-6006PBF-ND
别名：IRFP4242PBF
IRFP4242PBF-ND
SP001519088
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 26A（Tc） 79W（Tc） D-Pak
型号：
IRLR4343TRPBF
仓库库存编号：
IRLR4343TRPBF-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 8A 75W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 8A 75W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD04N60R
仓库库存编号：
IKD04N60RINCT-ND
别名：IKD04N60RINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 12A 100W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD06N60R
仓库库存编号：
IKD06N60RINCT-ND
别名：IKD06N60RINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
IGBT 600V 20A 150W TO252-3
详细描述：IGBT Trench 600V 20A 150W Surface Mount PG-TO252-3
型号：
IKD10N60R
仓库库存编号：
IKD10N60RINCT-ND
别名：IKD10N60RINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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