产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT20H60T3G
仓库库存编号：
APTGT20H60T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH 3PH BRDG SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 32A 62W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT20X60T3G
仓库库存编号：
APTGT20X60T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 50A 90W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT30A60T1G
仓库库存编号：
APTGT30A60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH DL BST CHOP SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual Boost Chopper 600V 50A 90W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT30DDA60T3G
仓库库存编号：
APTGT30DDA60T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual Buck Chopper 600V 50A 90W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT30DSK60T3G
仓库库存编号：
APTGT30DSK60T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP3
型号：
APTGT30H60T3G
仓库库存编号：
APTGT30H60T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH DUAL SOURCE SP6
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 550A 1750W Chassis Mount SP6
型号：
APTGT450DU60G
仓库库存编号：
APTGT450DU60G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP1
型号：
APTGT50A60T1G
仓库库存编号：
APTGT50A60T1G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT50DH60TG
仓库库存编号：
APTGT50DH60TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 760A 1600W D4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 760A 1600W Chassis Mount D4
型号：
APTGT580U60D4G
仓库库存编号：
APTGT580U60D4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 100A 250W Chassis Mount SP4
型号：
APTGT75DH60TG
仓库库存编号：
APTGT75DH60TG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MODULE IGBT QUAD 600V SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 600V 50A 90W Chassis Mount SP3
型号：
APTCV60TLM99T3G
仓库库存编号：
APTCV60TLM99T3G-ND
别名：APTCV60TLM99T3GMI
APTCV60TLM99T3GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MODULE IGBT QUAD 900V SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 1200V 80A 280W Chassis Mount SP3
型号：
APTCV90TL12T3G
仓库库存编号：
APTCV90TL12T3G-ND
别名：APTCV90TL12T3GMI
APTCV90TL12T3GMI-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
IGBT 400V 26.9A 166W DPAK
详细描述：IGBT 400V 26.9A 166W Surface Mount TO-252AA
型号：
FGD3440G2
仓库库存编号：
FGD3440G2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Microsemi Corporation
POWER MODULE IGBT3 SP3
详细描述：IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter - IGBT, FET 600V 100A 250W Chassis Mount SP3
型号：
APTCV60TLM45T3G
仓库库存编号：
APTCV60TLM45T3G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
IGBT 600V 184A 577W SOT-227
详细描述：IGBT Module Trench Single 600V 184A 577W Chassis Mount SOT-227
型号：
VS-GT100DA60U
仓库库存编号：
VS-GT100DA60U-ND
别名：VSGT100DA60U
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Powerex Inc.
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 1080W Chassis Mount Module
型号：
QJD1210010
仓库库存编号：
QJD1210010-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Powerex Inc.
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 900W Chassis Mount Module
型号：
QJD1210011
仓库库存编号：
QJD1210011-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 206A（Tc） 300W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
型号：
IRFBA1404P
仓库库存编号：
IRFBA1404P-ND
别名：*IRFBA1404P
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 430V 20A 125W TO220AB
详细描述：IGBT 430V 20A 125W Through Hole TO-220AB
型号：
92-0235
仓库库存编号：
92-0235-ND
别名：*IRGB14C40L
IRGB14C40L
IRGB14C40L-ND
SP001512168
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
IGBT 430V 20A 125W D2PAK
详细描述：IGBT 430V 20A 125W Surface Mount D2PAK
型号：
IRGS14C40L
仓库库存编号：
IRGS14C40L-ND
别名：*IRGS14C40L
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 49V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-7-180
型号：
BTS282Z E3180A
仓库库存编号：
BTS282ZE3180AINCT-ND
别名：BTS282ZE3180AINCT
BTS282ZE3180ATINCT
BTS282ZE3180ATINCT-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 174A SUPER-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 174A（Tc） 330W（Tc） SUPER-220?（TO-273AA）
型号：
IRFBA1405P
仓库库存编号：
IRFBA1405P-ND
别名：*IRFBA1405P
Q1429145
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 14A TO220FP
详细描述：通孔 P 沟道 55V 14A（Tc） 33W（Tc） TO-220AB 整包
型号：
IRLIB9343
仓库库存编号：
IRLIB9343-ND
别名：*IRLIB9343
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK
详细描述：通孔 P 沟道 55V 20A（Tc） 79W（Tc） I-Pak
型号：
IRLU9343
仓库库存编号：
IRLU9343-ND
别名：*IRLU9343
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -40°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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